Leader mondial – avec plus de 80 % de part de marché – du SOI (silicium sur isolant), technologie clé dans la fabrication des semi-conducteurs, Soitec annonce la mise au point d’un silicium contraint sur isolant (sSOI) sans germanium. Plus facile à utiliser par les industriels, ce matériau, adapté à l’architecture actuelle des microprocesseurs, permet une augmentation de la vitesse des électrons de 80 % et favorise donc une augmentation très sensible des performances sans aucun changement dans les procédés de fabrication.
Le nouveau produit de Soitec offre une couche épaisse de silicium de 40 nanomètres aux excellentes caractéristiques électroniques et cristallines sans recourir au germanium. Les tests montrent que la contrainte peut être maintenue à travers les différents procédés thermiques à haute température utilisés dans le cycle de fabrication des microprocesseurs. Fondée sur le procédé Smart Cut du CEA-Léti, cette technologie a été étudiée, en matière d’épitaxie, en partenariat avec l’équipementier ASM International. Les recherches ont permis d’obtenir une couche épitaxiale de haut niveau de qualité qui repousse les limites du silicium contraint sur isolant au-delà des couches ultra-fines. Cette solution, évaluée par Soitec et ses clients, permet de répondre aux demandes des clients industriels pour les technologies de 65 nanomètres et au-delà. Le passage en production est prévu au deuxième semestre de 2005.