14 oxydes ternaires passés en revue

Catégorie(s) : Actualités, Recherche

Publié le : 6 octobre 2014

Semi-conducteurs transparents dans le visible, les oxydes ternaires de type In-X-Zn-O sont des candidats prometteurs pour des applications optoélectroniques. Une équipe du Liten en a synthétisé 14 par méthode sol gel, afin d’étudier leurs propriétés électriques.
L’étude de la mobilité des porteurs, réalisée avec l’IMEP-LAHC, montre que celle-ci se dégrade exponentiellement avec la densité de défauts à l’interface oxyde/isolant. Cette densité de défauts varie de 1 à 10 selon l’espèce métallique choisie comme dopant (X) : gallium, antimoine, étain etc. L’interprétation des résultats fait appel à la théorie de la percolation dans les milieux désordonnés.
Plusieurs équipes dans le monde (Japon, Corée…) travaillent sur les oxydes ternaires. Mais c’est la première fois qu’une telle étude systématique est menée.

Contact : mohammed.benwadih@cea.fr; gerard.ghibaudo@minatec.inpg.fr

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