Le TEM caractérise une mémoire résistive en action

Caractériser une mémoire résistive (RRAM) en fonctionnement, à l’échelle nanométrique, dans un microscope électronique en transmission… Une équipe du CEA Leti a réussi cet exploit, grâce à une méthode adaptable à d’autres mémoires. Elle a pu établir des cartographies de structure, composition et potentiels pour les états ON et OFF du dispositif, dont la couche active ne dépasse pas une vingtaine de nanomètres.

Les chercheurs ont résolu de multiples difficultés : appliquer une sonde électrique à l’échantillon avec une résolution nanométrique, établir des contacts électriques en limitant l’échauffement et le stress mécanique, identifier les artéfacts…

Ils ont travaillé sur un TEM Titan à haute résolution imagerie, en recourant à l’holographie électronique. A terme, d’autres techniques pourraient être employées.

Contact : david.cooper@cea.fr

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