Transistors CMOS 20 nm : un couple oxyde de grille/métal ultra performant

En déposant sur une couche isolante d’oxyde d’hafnium, un alliage métallique tantale – carbone – azote (TaCN), le Leti a obtenu un bicouche oxyde/métal aux caractéristiques exceptionnelles : l’oxyde d’hafnium offre les mêmes propriétés isolantes qu’un oxyde de silicium de 0,85 nm, avec des courants de fuite réduits d’un facteur 100 000.
Cet empilement, compatible avec les technologies des transistors 20 nm, est réalisé grâce à un nouveau procédé : le dépôt de couches minces atomiques. Les chercheurs se penchent maintenant sur l’optimisation des épaisseurs de chaque couche et leurs interactions. Ils étudient aussi les phénomènes physiques qui permettent d’obtenir une telle réduction des courants de fuite, notamment grâce à des observations en XPS angulaire menées en collaboration avec le CNRS/LTM.
 
Contact : remy.gassilloud@cea.fr

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