Offres de thèses, stages et postdocs

170 résultats trouvés

[Thèse]

Fabrication et caractérisation des dispositifs avec des jonctions réalisées à basse température pour l'intégration 3D séquentielle pour les noeuds 7 nm et au delà

Offre N° : SL-DRT-15-1082

Date de début : 1 Oct 2015



[Thèse]

Optique quantique et non-linéaire dans des microcavités nitrure

Offre N° : SL-DSM-15-1071

Date de début : 1 Oct 2015

Cette thèse aura pour objet d'étudier par spectroscopie optique (photoluminescence) des microcavités optiques (microdisques et cristaux photoniques) en AlN contenant des émetteurs ultraviolets (boîtes et puits quantiques GaN). L'objectif général de ce travail est de mettre en évidence des phénomènes d'optique quantique, à savoir le régime microlaser ou le couplage fort dans des microcavités nitrures émettant dans l'ultraviolet.



[Thèse]

Etude in situ par RX synchrotron de films minces sol-gel d'oxydes nanostructurés

Offre N° : SL-DSM-15-1049

Date de début : 1 Oct 2015

Les Oxydes Transparents Conducteurs (OTC) jouent un rôle critique dans de nombreux dispositifs actuels et émergents en optoélectronique. Des couches minces d'OTC sont fabriquées depuis peu par sol-gel. Cette méthode d'élaboration est simple, applicable sur de grandes surfaces et moins chère que les méthodes conventionnelles. Il est indispensable de maîtriser cette nouvelle méthode d'élaboration sur le plan fondamental.



[Thèse]

Caractérisation électrique et modélisation des phénomènes de piégeage (BTI, LFN) affectant la fiabilité des technologies CMOS nanofils 10nm et en deçà

Offre N° : SL-DRT-15-1133

Date de début : 1 Oct 2015

Dans lestechnologies CMOS avancées (Nanofils,la présence de défauts aux interfaces ou dans l'oxyde de grille, inhérents au procédé de fabrication, ou induits par le vieillissement de ces dispositifs dégrade fortement les performances des transistors ; en augmentant fortement le bruit basse fréquence (LFN) et « Random Telegraph Noise » (RTN). Dans les transistors intégrant des nouveaux matériaux SiGe, III-V, ces défauts microscopiques sont plus nombreux que sur silicium et largement méconnus.



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