Nouveaux modèles de partitionnement de graphes pour le placement/routage sur architectures massivement parallèles
Offre N° : 13462
Date de début : 1 Oct 2013
L'apparition, ces dernières années, d'architectures de processeur dites « many-core », c'est-à-dire intégrant plusieurs centaines voire milliers de cœurs de calcul au sein d'une même puce, a ouvert un nouveau domaine d'application pour les problèmes de partitionnement de graphes. En effet, cette classe de problèmes est au cœur de l'étape dite de placement/routage d'applications sur ces architectures.
Programmabilité à l'heure du Many-cœur, au delà du modèle de stream
Offre N° : 13458
Date de début : 1 Oct 2013
La nouvelle loi de Moore se traduit désormais par le doublement régulier du nombre de cœurs de traitements (processing elements) sur une puce. D'ici la fin de la décennie, on devrait être dans le domaine du many-core massif (plusieurs milliers de processeurs sur une seule puce). Les méthodes de programmation classiques comme OpenMP ne fonctionnent plus correctement à cette échelle.
Etude du dopage extrinsèque dans HgCdTe pour la réalisation des photodiodes infrarouges
Offre N° : 13456
Date de début : 1 Sep 2013
Le CEA/Leti est, en collaboration avec l'industriel Sofradir, un des leaders mondiaux dans la recherche et développement de photo-détecteurs Infrarouge à base du semi-conducteur II-VI CdHgTe. Un des enjeux principaux pour la prochaine génération de détecteur dans ce domaine est l'augmentation de la température de fonctionnement pour des applications de haut impact sociétal tel que la sécurité, la surveillance environnemental et la télécommunication.
Développement d'interconnexions avancées pour les applications de Puissance et étude de leur fiabilité
Offre N° : 13454
Date de début : 1 Sep 2013
En réponse aux besoins sociétaux sur la préservation de l'environnement et sur les énergies alternatives (photovoltaïque, éolien, véhicule électrique), le CEA-LETI développe, depuis 2011, une activité sur les composants de puissance basés sur la technologie HEMT GaN (High Electron Mobility Transistor on Gallium Nitride semiconductor).