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[Thèse]

Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité, de type N et P

Offre N° : SL-DRT-15-1135

Date de début : 1 Oct 2015

L'objectif de la thèse que nous proposons est d'étudier les potentialités des matériaux InGaAs riche en indium ainsi que les antimoniures (GaSb et InSb) pour réaliser sur une plateforme Si des composants P-FET pour le GaSb et N-FET pour l'InGaAs et l'InGa(As)(Sb).



[Thèse]

Développement de matériaux diélectriques low-k « haute température »

Offre N° : SL-DRT-15-1128

Date de début : 1 Oct 2015

Les diélectriques à faible permittivité ("low-k") sont utilisés pour l'isolation des niveaux d'interconnexion dans les circuits intégrés de la microélectronique. Pour de nouvelles applications (intégration 3D) il devient nécessaire d'avoir des matériaux low-k capables de supporter des contraintes thermiques élevées (jusqu'à 550°C). Les matériaux « classiques » (du type SiOCH ou SiCNH) ne remplissent à priori pas ces spécifications.



[Thèse]

Fabrication et caractérisation des dispositifs avec des jonctions réalisées à basse température pour l'intégration 3D séquentielle pour les noeuds 7 nm et au delà

Offre N° : SL-DRT-15-1082

Date de début : 1 Oct 2015



[Thèse]

Caractérisation électrique et modélisation des phénomènes de piégeage (BTI, LFN) affectant la fiabilité des technologies CMOS nanofils 10nm et en deçà

Offre N° : SL-DRT-15-1133

Date de début : 1 Oct 2015

Dans lestechnologies CMOS avancées (Nanofils,la présence de défauts aux interfaces ou dans l'oxyde de grille, inhérents au procédé de fabrication, ou induits par le vieillissement de ces dispositifs dégrade fortement les performances des transistors ; en augmentant fortement le bruit basse fréquence (LFN) et « Random Telegraph Noise » (RTN). Dans les transistors intégrant des nouveaux matériaux SiGe, III-V, ces défauts microscopiques sont plus nombreux que sur silicium et largement méconnus.



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