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[Thèse]

Développement de matériaux diélectriques low-k « haute température »

Offre N° : SL-DRT-15-1128

Date de début : 1 Oct 2015

Les diélectriques à faible permittivité ("low-k") sont utilisés pour l'isolation des niveaux d'interconnexion dans les circuits intégrés de la microélectronique. Pour de nouvelles applications (intégration 3D) il devient nécessaire d'avoir des matériaux low-k capables de supporter des contraintes thermiques élevées (jusqu'à 550°C). Les matériaux « classiques » (du type SiOCH ou SiCNH) ne remplissent à priori pas ces spécifications.



[Thèse]

Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité, de type N et P

Offre N° : SL-DRT-15-1135

Date de début : 1 Oct 2015

L'objectif de la thèse que nous proposons est d'étudier les potentialités des matériaux InGaAs riche en indium ainsi que les antimoniures (GaSb et InSb) pour réaliser sur une plateforme Si des composants P-FET pour le GaSb et N-FET pour l'InGaAs et l'InGa(As)(Sb).



[Thèse]

Fabrication et caractérisation des dispositifs avec des jonctions réalisées à basse température pour l'intégration 3D séquentielle pour les noeuds 7 nm et au delà

Offre N° : SL-DRT-15-1082

Date de début : 1 Oct 2015



[Thèse]

Accélération matérielle pour la cryptographie homomorphe

Offre N° : SL-DRT-15-0179

Date de début : 1 Oct 2015

L'émergence du cloud computing et des systèmes cyber-physiques a fait de la sécurité dans le traitement des données un enjeu majeur. Dans l'optique d'assurer la confidentialité des données manipulées, l'utilisation de la cryptographie est aujourd'hui largement répandue.



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