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[Thèse]

Contribution à la compréhension et à la réduction des effets de “current collapse” dans les structures HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si pour des applications puissances

Offre N° : SL-DRT-15-0572

Date de début : 1 Oct 2015

Pour faire face à la demande croissante de l'électronique de puissance et des domaines RF, ainsi que pour accroître la performance des dispositifs associés, le CEA-LETI développe une ligne pilote allant du développement des substrats GaN épitaxié sur silicium jusqu'au système embarquant des composants innovants tels que des transistors HEMTs ou diode Schottky.



[Thèse]

Conception d'antennes miniatures super directives à dépointage de faisceau

Offre N° : SL-DRT-15-0550

Date de début : 1 Oct 2015

En focalisant le diagramme de rayonnement dans les directions utiles, les antennes directives ouvrent de nouvelles opportunités pour les applications sans-fil en termes d'efficacité spectrale, de déploiement radio sans interférences, réduction de l'impact environnemental, réduction de l'exposition aux champs électromagnétiques et modes d'utilisation.



[Thèse]

Traitements avancés pour imageur RX de couleur avec numérisation dans le pixel

Offre N° : SL-DRT-15-0542

Date de début : 1 Sep 2015

Depuis quelques années, on constate un intérêt croissant pour des nouveaux détecteurs capables de mesurer l'énergie des rayons X en imagerie dans le domaine de la santé ou de la sécurité. Par rapport aux techniques de radiographie standard, l'imagerie de couleur apporte une information quantitative sur la nature des matériaux imagés : densité, numéro atomique effectif.



[Thèse]

Templates de matériaux nitrures semi-polaires pour l'émission visible à courte longueur d'onde

Offre N° : SL-DRT-15-0538

Date de début : 1 Sep 2015

Les matériaux semiconducteurs nitrures d'éléments III sont utilisés pour la réalisation de diodes bleues au coeur des lampes à LEDs. L'utilisation de ces matériaux pour les plus grandes longueurs d'onde(verte-rouge)est cependant limitée, en raison de l'existence d'un champ électrique interne piezoélectrique qui sépare spatialement les électrons et trous dans les zones actives(puits quantiques)de la diode, réduisant l'efficacité radiative.



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