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[Thèse]

Convertisseur DC/DC embarqué Très Haute température

Offre N° : SL-DRT-15-0077

Date de début : 1 Oct 2015

L'arrivée de composants actifs Grand Gap (GaN , SiC) a permis d'envisager de placer les convertisseurs de l'électronique de puissance (alimentations, variateurs de vitesse...) dans des ambiantes de température très élevées, > 200°C. Cependant de nombreux points durs subsistent, en particulier les contraintes imposées par les composants passifs. Une voie d'exploration prometteuse est de monter en fréquence pour réduire les passifs et permettre alors des sauts technologiques.



[Thèse]

Etudes d'algorithmes multi-antennes pour système 5G utilisant des formes d'ondes multi-porteuses à bancs de filtres

Offre N° : SL-DRT-15-0207

Date de début : 1 Oct 2015

L'émergence de nouveaux services et l'explosion du nombre d'objet connectés amènent les principaux acteurs du monde des telecoms à étudier des nouvelles technologies dont le but sera de prendre le relais du LTE (4G). Dans ce contexte post-4G, de nombreux challenges sont à relever par la future 5G.



[Thèse]

Sécurité des transmissions radio pour l'Internet des objets

Offre N° : SL-DRT-15-0940

Date de début : 1 Oct 2015

L'Internet des Objets se définit par l'échange de données émises par des dispositifs électroniques vers le réseau Internet. Parmi la multitude d'applications possibles, nous nous intéressons aux réseaux de capteurs qui peuvent être installés dans des sites sensibles (centrale électrique, réseau d'eau/gaz/électricité, etc.). Pour ces applications, la robustesse des liaisons sans fil à du brouillage peut être un atout déterminant.



[Thèse]

Epitaxie van der Walls de GaN sur graphène pour applications LEDs

Offre N° : SL-DRT-15-0773

Date de début : 1 Sep 2015

Un des obstacles majeurs pour la réalisation d'hérérostructures semiconductrices épitaxiales avancées est l'accord de maille entre le matériau épitaxié et le matériau substrat. Cette contrainte d'accord de maille peut cependant être significativement relâchée si la croissance épitaxiale se fait via des interactions van der Waals.



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