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[Thèse]

Etude de la variabilité dynamique de transistors et de circuits numériques&analogiques en technologie CMOS FDSOI

Offre N° : SL-DRT-14-0886

Date de début : 1 Oct 2014

De nouvelles technologies pour la nanoélectronique sont actuellement développées au Léti, notamment les technologies CMOS FDSOI (Fully Depleted SIlicon On Insulator) 14 et 10 nm. Un des principaux attraits de cette technologie est la possibilité de fabriquer des transistors nanométriques performants avec une faible variabilité (faible dispersion des paramètres et notamment de la tension de seuil).



[Thèse]

Caractérisation électrique et optimisation de la tenue en tension de transistors de puissance HEMTs à substrat épitaxié GaN

Offre N° : SL-DRT-14-0869

Date de début : 1 Sep 2014

Cette thèse se situe dans le contexte de la définition et de l'optimisation de technologies pour dispositifs de puissance sur substrat GaN. Les dispositifs sont alors des transistors HEMTs à hétérojonction AlGaN/GaN. Le matériau GaN est prometteur pour de telles technologies, du fait de la forte mobilité de ses électrons et de son champ de claquage élevé.



[Thèse]

Nano-caractérisation des mécanismes de commutation dans les mémoires résistives à base d'HfO2

Offre N° : SL-DRT-14-0121

Date de début : 1 Oct 2014

Les RRAM (Resistive Random Accesss Memories) à base d'oxyde métallique de transition (HfO2, Ta2O5, ..) sont des candidats très prometteurs pour suppléer les mémoires non volatiles actuelles dites FLASH. Leur simplicité d'intégration et leur faible consommation ont fait des RRAMs l'objet d'études importantes dans différents laboratoires.



[Thèse]

Nouvelles Mémoires à Changement de Phase Confinées pour application aux Mémoires Non Volatiles embarquées visant le nœud 28 nm et au-delà

Offre N° : SL-DRT-14-0100

Date de début : 1 Oct 2014

Dans le cadre d'une collaboration avec STMicroelectronics, le LETI contribue au développement des prochaines générations de mémoires à changement de phase (PCM), visant à dépasser les limites des technologies standards de Mémoires Non Volatiles embarquées (eNVM) au-delà du nœud technologique 28nm. Dans la technologie PCM, l'information est codée par le niveau de résistance électrique du point mémoire, qui varie selon que le matériau mémoire est amorphe ou cristallin.



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