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[Thèse]

Contribution au développement d'antennes miniatures intégrant des fonctions de capteurs

Offre N° : SL-DRT-14-0714

Date de début : 1 Oct 2014

L'Intelligence Ambiante est un concept clé du développement des futurs systèmes d'information et de communication. Il repose notamment sur une nouvelle classe de capteurs communicants en développement depuis plusieurs années. Ces nœuds communicants sont généralement aptes à interagir avec leur environnement en captant ou contrôlant certains paramètres physiques.



[Thèse]

Méthodes d'amélioration de la tenue à la dose cumulée de rayonnement ionisant pour des technologies CMOS émergentes

Offre N° : SL-DRT-14-1182

Date de début : 1 Jul 2015

Les dispositifs électroniques du commerce ne survivent, en général, que très peu de temps lorsqu'on les soumet à des radiations ionisantes. C'est pourquoi on utilise des systèmes électroniques dits « durcis », i.e. conçus pour résister à ce type d'environnement. Dans ces systèmes, l'emploi de technologies CMOS récentes permet d'améliorer notablement leur tenue à la dose cumulée de rayonnement ionisant.



[Thèse]

Nano-caractérisation des mécanismes de commutation dans les mémoires résistives à base d'HfO2

Offre N° : SL-DRT-14-0121

Date de début : 1 Oct 2014

Les RRAM (Resistive Random Accesss Memories) à base d'oxyde métallique de transition (HfO2, Ta2O5, ..) sont des candidats très prometteurs pour suppléer les mémoires non volatiles actuelles dites FLASH. Leur simplicité d'intégration et leur faible consommation ont fait des RRAMs l'objet d'études importantes dans différents laboratoires.



[Thèse]

Nouvelles Mémoires à Changement de Phase Confinées pour application aux Mémoires Non Volatiles embarquées visant le nœud 28 nm et au-delà

Offre N° : SL-DRT-14-0100

Date de début : 1 Oct 2014

Dans le cadre d'une collaboration avec STMicroelectronics, le LETI contribue au développement des prochaines générations de mémoires à changement de phase (PCM), visant à dépasser les limites des technologies standards de Mémoires Non Volatiles embarquées (eNVM) au-delà du nœud technologique 28nm. Dans la technologie PCM, l'information est codée par le niveau de résistance électrique du point mémoire, qui varie selon que le matériau mémoire est amorphe ou cristallin.



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