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[Thèse]

Synthèse de matériaux innovants pour les dispositifs radio fréquence avancés

Offre N° : SL-DRT-16-0746

Date de début : 1 Sep 2016

Il apparait un fort besoin d'innovation autour de matériaux pour les interrupteurs (Switchs) Radio Fréquence RF de la téléphonie réseau de 5ieme Génération. Il s'agit de développer de nouveaux composants sur puce CMOS à faible consommation électrique de dimension réduite et intégrants plusieurs bandes de fréquence. Dans ce cadre, les matériaux à base de chalcogenures des métaux de transition présentent des propriétés spécifiques de transition résistive adaptée au besoin des Switchs RF.



[Thèse]

Etude du confinement de porteurs dans des structures contraintes à base de Germanium pour la réalisation de lasers compatibles avec les technologies CMOS.

Offre N° : SL-DRT-16-0718

Date de début :

Aucunes sources lumineuses intégrées CMOS n'existent actuellement malgré les énormes efforts de la communauté depuis plusieurs années. Afin de contourner ces lacunes, l'industrie aujourd'hui développe des solutions de rechanges comprenant le collage de matériaux III-V. De nombreux défis existent pour réaliser l'hybridation hétérogène de lasers III-V afin de fournir des lasers pour la plateforme photonique silicium.



[Thèse]

Simulation des mécanismes de programmation des mémoires à changement de phase avec la méthode multi-champ de phase

Offre N° : SL-DRT-16-0999

Date de début : 1 Oct 2016

Récemment, STMicroelectronics a décidé d'implémenter la technologie PCM (Phase Change Memories) en 28nm pour des mémoires embarquées destinées entre autres aux microcontrôleurs pour l'automobile. Ces mémoires sont basées sur la variation de résistance d'un petit volume de matériau à changement de phase, l'information binaire étant codée à travers la phase amorphe ou cristalline du matériau à changement de phase.



[Thèse]

Gravure plasma du CdxHg(1-x)Te : étude de précurseurs non conventionnel pour application aux détecteurs infrarouges hautes performances de très faible pas.

Offre N° : SL-DRT-16-0706

Date de début : 1 Oct 2016

L'Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) et le Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA/Leti sont partenaires depuis 2006 dans des programmes de recherche sur la gravure de matériaux CdxHg(1-x)Te en plasma dense à base de CH4-H2, pour les technologies des détecteurs infra-rouge refroidis.



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