102 résultats trouvés

[Thèse]

Analyse et recherche des points d'intérêt dans le contexte des attaques par observation sur carte à puce

Offre N° : SL-DRT-14-0092

Date de début : 1 Oct 2014

La cryptographie embarquée sur les cartes à puce peut être vulnérable à des attaques par observation, basées sur l'interprétation des informations récupérées pendant l'exécution de l'algorithme. Cette fuite d'information est en général mesurée au niveau matériel sous la forme d'un signal de consommation de courant ou de rayonnement électromagnétique.



[Thèse]

Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité

Offre N° : SL-DRT-14-0056

Date de début : 1 Oct 2014

Afin de surmonter les limites en termes de miniaturisation des mémoires FLASH, les mémoires résistives bénéficient d'un intérêt particulier. Parmi elles, les mémoires CBRAM (Conductive Bridge Random Access Memory) reposant sur la formation et dissolution d'un filament à partir d'oxydo/réduction d'ions métalliques bénéficient d'une très faible consommation, mais souffrent d'une mauvaise rétention de l'information.



[Thèse]

Récepteur radiofréquence basé sur l'échantillonnage parcimonieux pour les applications de communication radio versatile adaptative.

Offre N° : SL-DRT-14-0669

Date de début : 1 Oct 2014

L'objectif de cette thèse est de proposer une nouvelle architecture de récepteur radiofréquence s'appuyant sur l'échantillonnage parcimonieux et d'évaluer l'intérêt de cette technique pour le relâchement des contraintes de réalisation des blocs analogiques et la réduction de la consommation électrique.

La plupart des signaux pertinents peuvent être comprimés: nos smartphones sont remplis de



[Thèse]

Optimisation de structures InGaN/GaN et fabrication de diodes électroluminescentes avec émission blanche monolithique.

Offre N° : SL-DRT-14-0668

Date de début : 1 Oct 2014

Actuellement, la plupart des diodes électroluminescentes (DELs) sont fabriquées à base de matériaux nitrures. Les zones actives sont constituées de puits quantiques InGaN insérés dans des barrières GaN. Les puits quantiques en InGaN ont une composition en indium permettant d'avoir un bon confinement des électrons et des trous à température ambiante et d'obtenir une émission dans le bleu vers 450 nm efficace pour des densités de courant raisonnables de l'ordre de 35 A/cm2.



Mes offres

  • Chargement...

Thématique :

Department:

Votre recherche