Les mémoires de stockage occupent une place prépondérante dans les systèmes électroniques modernes (smart phone, caméra numérique …). En-dehors d'être non-volatiles, ces mémoires doivent être rapides, bon marché et avoir une très forte densité d'intégration ainsi qu'une faible consommation.

Les mémoires de stockage occupent une place prépondérante dans les systèmes électroniques modernes (smart phone, caméra numérique …). En-dehors d'être non-volatiles, ces mémoires doivent être rapides, bon marché et avoir une très forte densité d'intégration ainsi qu'une faible consommation.

Nous assistons à l'émergence ou à la maturation de nouvelles technologies des mémoires non-volatiles (M-RAM, PC-RAM, CB-RAM, Ox-RAM). Pour une partie d'entre elles, les paramètres électriques (charge, résistance) utilisés pour encoder de l'information binaire ou multivaluée dans les cellules de stockage peuvent prendre des valeurs dans un domaine continu. Corrélée à la variabilité qui accompagne les fortes densités d'intégration, cette propriété peut empiéter sur la fiabilité et le rendement de ces mémoires mais elle peut aussi offrir des nouvelles approches de corrections d'erreurs.

L'objectif de cette thèse est de proposer des nouvelles solutions pour améliorer le rendement de production et la fiabilité des mémoires émergentes. Plus précisément, il s'agit de nouveaux codes correcteurs et/ou des nouvelles méthodologies de décodage qui permettrons de bénéficier des propriétés de ces mémoires afin d'augmenter la capacité de correction des erreurs et/ou d'améliorer la latence du décodage.

Les travaux seront réalisés au sein d'une équipe de recherche du CEA LIST qui est très engagée dans le domaine de la fiabilité des systèmes embarqués et des technologies mémoire émergentes. De plus, ces travaux pourront être le cas échéant intégrés dans le cadre de projets actuellement développés avec différents acteurs industriels et universitaires en pointe dans le domaine des technologies mémoire émergentes.