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[Thèse]

Optimisation de structures InGaN/GaN et fabrication de diodes électroluminescentes avec émission blanche monolithique.

Offre N° : SL-DRT-14-0668

Date de début : 1 Oct 2014

Actuellement, la plupart des diodes électroluminescentes (DELs) sont fabriquées à base de matériaux nitrures. Les zones actives sont constituées de puits quantiques InGaN insérés dans des barrières GaN. Les puits quantiques en InGaN ont une composition en indium permettant d'avoir un bon confinement des électrons et des trous à température ambiante et d'obtenir une émission dans le bleu vers 450 nm efficace pour des densités de courant raisonnables de l'ordre de 35 A/cm2.



[Thèse]

Systèmes sans fil immergés en milieu complexe : télé-alimentation et localisation d'objets.

Offre N° : SL-DRT-14-0665

Date de début : 1 Oct 2014

Les antennes inductives sont couramment utilisées dans les applications d'alimentation sans contact d'objets (véhicules électriques ou power pads pour smartphones). Ces antennes sont également utilisées en RFID où elles permettent simultanément de télé-alimenter et de communiquer avec des tags placés en champ proche. Dans des applications plus récentes, on les utilise aussi pour localiser des tags enfouis.



[Thèse]

Récepteur radiofréquence basé sur l'échantillonnage parcimonieux pour les applications de communication radio versatile adaptative.

Offre N° : SL-DRT-14-0669

Date de début : 1 Oct 2014

L'objectif de cette thèse est de proposer une nouvelle architecture de récepteur radiofréquence s'appuyant sur l'échantillonnage parcimonieux et d'évaluer l'intérêt de cette technique pour le relâchement des contraintes de réalisation des blocs analogiques et la réduction de la consommation électrique.

La plupart des signaux pertinents peuvent être comprimés: nos smartphones sont remplis de



[Thèse]

Interconnexions à pas ultra-fin et application à l'optoélectronique

Offre N° : SL-DRT-14-0663

Date de début : 1 Sep 2014

Parmi les plus importants challenges de la microélectronique, on identifie le développement d'interconnexions pour les composants à très forte densité (imageurs infra-rouge en particulier) ainsi que pour les composants CMOS intégrant des fonctions optiques (technologie «Photonique sur Silicium").



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