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[Thèse]

Systèmes sans fil immergés en milieu complexe : télé-alimentation et localisation d'objets.

Offre N° : SL-DRT-14-0665

Date de début : 1 Oct 2014

Les antennes inductives sont couramment utilisées dans les applications d'alimentation sans contact d'objets (véhicules électriques ou power pads pour smartphones). Ces antennes sont également utilisées en RFID où elles permettent simultanément de télé-alimenter et de communiquer avec des tags placés en champ proche. Dans des applications plus récentes, on les utilise aussi pour localiser des tags enfouis.



[Thèse]

Interconnexions à pas ultra-fin et application à l'optoélectronique

Offre N° : SL-DRT-14-0663

Date de début : 1 Sep 2014

Parmi les plus importants challenges de la microélectronique, on identifie le développement d'interconnexions pour les composants à très forte densité (imageurs infra-rouge en particulier) ainsi que pour les composants CMOS intégrant des fonctions optiques (technologie «Photonique sur Silicium").



[Thèse]

Développement de procédés d'auto-assemblage dirigé de copolymères à bloc haute-résolution pour les futures générations de lithographie en technologie CMOS sub-10nm

Offre N° : SL-DRT-14-0636

Date de début : 1 Oct 2014

La lithographie optique conventionnelle commence à montrer ses limitations pour les technologies CMOS les plus avancées (sub-10nm) étant donné que sa résolution ne dépasse pas 30nm half-pitch. Parmi les approches de patterning émergentes (patterning multiple, lithographie extrême-UV, lithographie électronique multi-faisceaux…), les copolymères à blocs (BCP) offrent une solution attractive pour viser des motifs de taille nanométrique.



[Thèse]

Étude et mise en œuvre de nouveaux transistors GaN bidirectionnels au sein de structures d'électronique de puissance à hautes performances

Offre N° : SL-DRT-14-0664

Date de début : 1 Oct 2014

Depuis quelques années, des progrès significatifs ont été faits sur de nouveaux matériaux : Carbure de Silicium (SiC), Nitrure de Gallium (GaN) et Diamant. Les composants JFET et MOSFET en SiC sont plutôt prédisposés pour la haute tension alors que les composants GaN pourront concurrencer les composants Silicium jusqu'à 600V, voire 1200V.



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