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[Thèse]

Correction du rayonnement diffusé en imagerie spectrale tomographique

Offre N° : SL-DRT-16-0670

Date de début : 1 Oct 2016

L'imagerie à rayons X est une technique utilisée tant dans le domaine du diagnostic médical que du contrôle de pièces industrielles ou de la sécurité. Les détecteurs à rayons X conventionnels fonctionnent par intégration de l'énergie des photons sur tout le spectre, et fournissent une seule valeur par pixel.



[Thèse]

Migration sous faisceau d'ions de dopants du CdHgTe pour applications à la formation de jonction p-n

Offre N° : SL-DRT-16-0649

Date de début : 1 Sep 2016

Le matériau CdHgTe présente la caractéristique, peu courante dans le monde des semi-conducteurs, d'être sensible aux faisceaux d'ions. Ce sujet de thèse propose d'étudier cette sensibilité dans le cas particulier de la migration sous faisceau d'ions de dopants du CdHgTe. Cet effet, mis en évidence pour certains dopants, présente un intérêt technologique majeur puisqu'il pourrait permettre d'ajuster finement le profil des jonctions p-n.



[Thèse]

Développement d'un procédé de gravure par plasma pour les Transistors de Puissance à base de matériaux III-V

Offre N° : SL-DRT-16-0299

Date de début : 1 Sep 2016

Les composants de Puissance sont utilisés dans les nouvelles technologies pour l'énergie telles que le photovoltaïque, l'éolien ou encore le véhicule électrique. L'utilisation des matériaux III-V (GaN, AlGaN) a permis d'améliorer les performances de ces composants. Une étape clé pour obtenir les caractéristiques électriques désirées est un contrôle précis de la gravure partielle d'une fine couche de matériau III-V.



[Thèse]

Caractérisation électrique et étude du transport électronique dans les transistors de nouvelle génération à base de matériau III-V (InGaAs)

Offre N° : SL-DRT-16-0319

Date de début : 1 Oct 2016

Le sujet de thèse s'inscrit dans le contexte de la recherche de solutions pour la poursuite des noeuds technologiques CMOS au-delà de 7nm. En effet, la technologie CMOS atteint désormais des dimensions de l'ordre de 10nm et en deçà.



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