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[Thèse]

Optimisation de structures InGaN/GaN et fabrication de diodes électroluminescentes avec émission blanche monolithique.

Offre N° : SL-DRT-14-0668

Date de début : 1 Oct 2014

Actuellement, la plupart des diodes électroluminescentes (DELs) sont fabriquées à base de matériaux nitrures. Les zones actives sont constituées de puits quantiques InGaN insérés dans des barrières GaN. Les puits quantiques en InGaN ont une composition en indium permettant d'avoir un bon confinement des électrons et des trous à température ambiante et d'obtenir une émission dans le bleu vers 450 nm efficace pour des densités de courant raisonnables de l'ordre de 35 A/cm2.



[Thèse]

Optimisation énergétique dans les convertisseurs analogiques/numériques en technologies avancées

Offre N° : SL-DRT-14-0653

Date de début : 1 Oct 2014

Cette thèse vise l'étude et l'optimisation des performances des Convertisseurs Analogique Numérique, qui doivent aussi être reconfigurables pour optimiser leur dépense énergétique par rapport à leur contexte environnemental et applicatif. Cette étude s'appuiera sur les spécificités des technologiques CMOS ou FDSOI avancées.



[Thèse]

Interconnexions à pas ultra-fin et application à l'optoélectronique

Offre N° : SL-DRT-14-0663

Date de début : 1 Sep 2014

Parmi les plus importants challenges de la microélectronique, on identifie le développement d'interconnexions pour les composants à très forte densité (imageurs infra-rouge en particulier) ainsi que pour les composants CMOS intégrant des fonctions optiques (technologie «Photonique sur Silicium").



[Thèse]

Développement de procédés d'auto-assemblage dirigé de copolymères à bloc haute-résolution pour les futures générations de lithographie en technologie CMOS sub-10nm

Offre N° : SL-DRT-14-0636

Date de début : 1 Oct 2014

La lithographie optique conventionnelle commence à montrer ses limitations pour les technologies CMOS les plus avancées (sub-10nm) étant donné que sa résolution ne dépasse pas 30nm half-pitch. Parmi les approches de patterning émergentes (patterning multiple, lithographie extrême-UV, lithographie électronique multi-faisceaux…), les copolymères à blocs (BCP) offrent une solution attractive pour viser des motifs de taille nanométrique.



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