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[Thèse]

Caractérisation électrique et étude du transport électronique dans les transistors de nouvelle génération à base de matériau III-V (InGaAs)

Offre N° : SL-DRT-16-0319

Date de début : 1 Oct 2016

Le sujet de thèse s'inscrit dans le contexte de la recherche de solutions pour la poursuite des noeuds technologiques CMOS au-delà de 7nm. En effet, la technologie CMOS atteint désormais des dimensions de l'ordre de 10nm et en deçà.



[Thèse]

Etude et réalisation d'un MEMS, intégrant des membranes avec actionneurs piézoélectriques, dédié à l'identification des propriétés de cellules biologiques

Offre N° : SL-DRT-16-0361

Date de début : 1 Sep 2016

Les MEMS sont des composants qui envahissent petit à petit notre quotidien. Le CEA-LETI (DCOS) développe depuis plusieurs années des membranes MEMS avec un actionnement piézoélectrique pouvant répondre à diverses applications. De son coté, CLINATEC est un centre de recherche biomédicale unique au monde, imaginant des traitements et méthodes de diagnostics et d'investigations physiopathologiques innovants.



[Thèse]

Relais M/NEM pour composants logiques et mémoires durcis aux radiations

Offre N° : SL-DRT-16-0423

Date de début : 1 Oct 2016

L'utilisation de relais Nano-Electro-Mécaniques (NEM) pour les circuits logiques a été récemment proposée afin de contourner une limite fondamentale d'efficacité en énergie de la technologie CMOS. Le courant nul à l'état bloqué des relais NEM ainsi que leur commutation extrêmement abrupte permettent en effet de s'affranchir efficacement d'un compromis médiocre en termes de consommation de puissance active et passive lorsque l'on fait décroître la tension d'alimentation VDD.



[Thèse]

Développement et compréhension de procédés gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm.

Offre N° : SL-DRT-16-0286

Date de début : 1 Oct 2016

Les technologies les plus avancées du CMOS (sub 10nm) proposent des architectures innovantes de type Nanofils où l'intégration de nouveaux matériaux semiconducteur comme le SiGe hétéroépitaxié sur silicium devient incontournable en raison de ses propriétés de mobilités supérieures au Si pour les porteurs de charges. La couche de SiGe épitaxiée est utilisée notamment pour la formation du canal conducteur du transistor et doit se réaliser par retrait sélectif du Si versus le SiGe.



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