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[Thèse]

Étude et mise en œuvre de nouveaux transistors GaN bidirectionnels au sein de structures d'électronique de puissance à hautes performances

Offre N° : SL-DRT-14-0664

Date de début : 1 Oct 2014

Depuis quelques années, des progrès significatifs ont été faits sur de nouveaux matériaux : Carbure de Silicium (SiC), Nitrure de Gallium (GaN) et Diamant. Les composants JFET et MOSFET en SiC sont plutôt prédisposés pour la haute tension alors que les composants GaN pourront concurrencer les composants Silicium jusqu'à 600V, voire 1200V.



[Thèse]

Etude des contraintes mécaniques pour l'amélioration des performances électriques des transistors HFET sur nitrure de gallium

Offre N° : SL-DRT-14-0626

Date de début :

Les transistors actuels basés sur le matériau GaN sont des transistors à effet de champ basé sur une hétérostructure III(Al, In, Ga)-N/GaN, on parle de transistor HFET (heterostructure field effect transistor).



[Thèse]

Modélisation et dimensionnement des systèmes mixtes flot de données et temps réel

Offre N° : SL-DRT-14-0312

Date de début : 1 Oct 2014

L'émergence, ces dernières années, d'applications intégrant des tâches temps réel et du calcul intensif « best effort » comme les applications d'aide à la conduite ADAS (Advanced Driver Assistance Systems) et les applications de la réalité augmentée (par exemple Google Glass), a créé des nouvelles problématiques de recherche, tant sur le niveau modélisation qu'au niveau exécution.



[Thèse]

Etude et conception de circuits innovants exploitant les caractéristiques des nouvelles technologies mémoires résistives

Offre N° : SL-DRT-14-0308

Date de début : 1 Sep 2014

L'augmentation exponentielle des capacités de calcul et des capacités mémoire permet d'envisager des applications toujours plus complexes et intelligentes. Dès 2005, Intel a identifié trois applications majeures qui sont aujourd'hui au cœur des systèmes les plus exigeantes en ressources mémoire et calcul : la reconnaissance, l'exploration et la synthèse de données.



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