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[Thèse]

Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité, de type N et P

Offre N° : SL-DRT-15-1135

Date de début : 1 Oct 2015

L'objectif de la thèse que nous proposons est d'étudier les potentialités des matériaux InGaAs riche en indium ainsi que les antimoniures (GaSb et InSb) pour réaliser sur une plateforme Si des composants P-FET pour le GaSb et N-FET pour l'InGaAs et l'InGa(As)(Sb).



[Thèse]

Nanocaractérisation colocalisée de défauts et de luminescence dans des puits quantiques InGaAs/GaAs

Offre N° : SL-DRT-15-1121

Date de début : 1 Sep 2015

L'intégration des matériaux III-V épitaxiés sur substrats Si(100) pour des applications nanoélectroniques (transistors à haute mobilité de type FinFET à canal InGaAs) est largement conditionnée par l'obtention de matériaux de bonne qualité. Ce travail se situe dans le domaine de la nanocaractérisation des défauts étendus des matériaux III-V épitaxiés sur Si.



[Thèse]

Développement de matériaux diélectriques low-k « haute température »

Offre N° : SL-DRT-15-1128

Date de début : 1 Oct 2015

Les diélectriques à faible permittivité ("low-k") sont utilisés pour l'isolation des niveaux d'interconnexion dans les circuits intégrés de la microélectronique. Pour de nouvelles applications (intégration 3D) il devient nécessaire d'avoir des matériaux low-k capables de supporter des contraintes thermiques élevées (jusqu'à 550°C). Les matériaux « classiques » (du type SiOCH ou SiCNH) ne remplissent à priori pas ces spécifications.



[Thèse]

Fabrication et caractérisation des dispositifs avec des jonctions réalisées à basse température pour l'intégration 3D séquentielle pour les noeuds 7 nm et au delà

Offre N° : SL-DRT-15-1082

Date de début : 1 Oct 2015



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