Le CEA/Leti est, en collaboration avec l'industriel Sofradir, un des leaders mondiaux dans la recherche et développement de photo-détecteurs Infrarouge à base du semi-conducteur II-VI CdHgTe. Un des enjeux principaux pour la prochaine génération de détecteur dans ce domaine est l'augmentation de la température de fonctionnement pour des applications de haut impact sociétal tel que la sécurité, la surveillance environnemental et la télécommunication.

Le CEA/Leti est, en collaboration avec l'industriel Sofradir, un des leaders mondiaux dans la recherche et développement de photo-détecteurs Infrarouge à base du semi-conducteur II-VI CdHgTe. Un des enjeux principaux pour la prochaine génération de détecteur dans ce domaine est l'augmentation de la température de fonctionnement pour des applications de haut impact sociétal tel que la sécurité, la surveillance environnemental et la télécommunication. Le dopage extrinsèque est, sur le plan théorique, la voie la plus prometteuse pour réaliser des photodiodes fonctionnant à haute température et réalisées sur le semi-conducteur CdHgTe. Les performances de tels dispositifs sont, jusqu'à présent, en deçà des attentes, probablement due à une génération de défauts associée à l'introduction des dopants.

Dans ce contexte, nous proposons une étude des nouveaux moyens d'incorporation et d'activation de dopants dans le semi-conducteur CdHgTe. Le travail demandé est, dans un premier temps, concentré sur la caractérisation structurelle et physique des échantillons réalisés d'après des plans d'expérience élaborés avec les différentes équipes au laboratoire. Dans un deuxième temps, l'étude portera sur la réalisation et la caractérisation de photodiodes dans les matériaux dopés ainsi développées. Les mesures vont être réalisées directement sur des photodiodes et, pour les meilleures variantes, sur des imageurs prototype à haute température de fonctionnement.