Offres de thèses, stages et postdocs

35 résultats trouvés

[Thèse]

Diversité temps-fréquence-espace pour la mesure distance-angle précise en UWB

Offre N° : SL-DRT-15-0008

Date de début : 1 Oct 2015

L'objectif de cette thèse est d'explorer la combinaison d'une antenne à 2-4 éléments avec un front-end radio fréquence Ultra-Large-Bande (UWB) pour permettre l'estimation d'angle d'arrivée du signal. La recherche portera sur l'analyse des performances de l'estimateur en modélisant la propagation et les imperfections des antennes et du chemin RF, sur l'établissement de bornes et sur la proposition d'architectures de récepteur et d'algorithmes d'estimation.



[Thèse]

Etude du transport de charges dans les semiconducteurs organiques et compréhension grâce à la modélisation microscopique

Offre N° : SL-DSM-15-0090

Date de début : 1 Oct 2015

Ce sujet de thèse s'inscrit dans la thématique des semiconducteurs organiques, désormais largement utilisés dans les dispositifs électroniques pour les cellules photovoltaïques, les diodes électroluminescentes ou les photodétecteurs. Le but de cette thèse est de déterminer et modifier la densité d'états (DOS) dans ces semiconducteurs organiques et de quantifier l'impact de ce paramètre clé sur les propriétés de transport de charges.



[Thèse]

Développement de nez électroniques de hautes performances utilisant des matériaux sensibles innovants par imagerie SPR

Offre N° : SL-DSM-15-0025

Date de début : 1 Oct 2015

Aujourd'hui, le suivi et la détection des composés organiques volatils (COVs) tels que les explosifs, les pesticides, les marqueurs de maladies et des arômes alimentaires, sont de plus en plus recherchés pour notre sécurité, notre santé et notre bien-être en général. Les méthodes traditionnelles telles que la chromatographie en phase gazeuse et la spectrométrie de masse sont précises et fiables mais demandent souvent beaucoup de temps et sont laborieuses à effectuer.



[Thèse]

Modélisation des interactions Coulombiennes dans les nanodispositifs

Offre N° : SL-DSM-15-0086

Date de début : 1 Oct 2015

Les progrès réalisés dans la nanostructuration du silicium permettent de fabriquer des transistors toujours plus petits et plus complexes. Il est par exemple possible aujourd'hui de graver des nanofils de silicium de 3 à 5 nm de diamètre et d'une dizaine de nanomètres de long, dans lesquels on peut contrôler le nombre de porteurs et le courant grâce au champ électrique appliqué par une "grille" métallique.



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