La variabilité des cellules ReRAM réduite d’un facteur 10

Les isolants de Mott, ces métaux capables de se muer en isolants, vont-ils remédier à la trop grande variabilité des mémoires résistives (ReRAM) ?
C’est ce que laisse espérer un projet commun CEA-Leti – LTM – CNRS. Les chercheurs ont réalisé des cellules mémoires de 15 x 300 nm2 où l’oxyde métallique habituel est remplacé par un isolant de Mott.
Résultat : une variabilité réduite d’un facteur 10, qui permet de viser des applications à haute exigence comme le stockage de données.
Cette amélioration s’explique : l’isolant de Mott effectue la transition conducteur-isolant sans déplacement d’atomes ni changement de structure cristalline, deux phénomènes à l’origine de la variabilité.
Mais ce matériau hors norme reste délicat à synthétiser et à déposer ; les travaux se poursuivent pour progresser sur ces deux axes.

Contact : camille.giroud@cea.fr

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