Le Léti pousse sa technologie FDSOI 20 nm

Pour faire connaître et promouvoir sa technologie Fully Depleted SOI 20 nm, le Léti a déjà fourni à quelques partenaires privilégiés un kit de conception permettant de concevoir des points mémoires, des oscillateurs en anneau et des transistors basse fréquence. Il reçoit aujourd’hui les premiers travaux effectués par ses partenaires à des fins d’évaluation.

La technologie va être ouverte de façon beaucoup plus large à l’extérieur : en janvier, un premier kit de conception sera diffusé à travers la structure CMP (Circuits Multi- Projets®), ce qui permettra de mutualiser les premières réalisations de composants. Ce kit s’étoffera par la suite pour permettre la conception de circuits numériques avec mémoire embarquée, de circuits radiofréquence, etc.
 
Contact : marjorie.gary@cea.fr

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