Les mémoires SOT-MRAM gagnent en densité

Plus fiable sur la durée et plus rapide que la mémoire STT-MRAM, la mémoire SOT-MRAM reste pénalisée par son encombrement. Sa cellule mémoire compte en effet typiquement deux transistors (un pour la lecture, un pour l’écriture), contre un seul pour la STT-MRAM. Un handicap qu’une équipe SPINTEC – Leti vient de réduire : elle a réalisé un réseau de mémoires SOT-MRAM dont le transistor de lecture est remplacé par une diode unidirectionnelle. À la clé, un gain en densité de 20% sans recul des performances en vitesse et en endurance.

L’essentiel du travail a porté sur l’architecture et sa validation, notamment pour la phase de lecture. Les chercheurs, déterminés à améliorer encore la densité, préparent déjà une nouvelle architecture encore plus compacte.

gregory.dipendina@cea.fr

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