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Stage-Etude de Faisabilité de micro-laser hybrides III/V sur silicium fin H/F

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Offre n° 6985

Les liens optiques fibrés sont aujourd’hui communément utilisés pour les télécommunications longue distance (Metro, FFTH) et courte distance (Datacenters). L’amélioration des performances ainsi que la co-intégration des circuits optiques avec les circuits électroniques restent un enjeu majeur pour les décennies à venir afin de réduire la consommation énergétique des centres de calcul et des outils de communications associés.
La photonique sur silicium apparait dans ce contexte comme une solution bas coût et facilement intégrable avec l’électronique qui génère et traite les données. Le développement de micro-sources lasers III-V intégrés sur silicium pourrait répondre à certaines problématiques, non seulement pour les communications courtes distance dans les datacenters mais également pour les échanges de données entre puces sur une même carte mère ou encore l’aide aux calculs multiprocesseurs.
L’objectif du stage est d’analyser les différentes microcavités lasers III-V démontrées dans la littérature afin d’évaluer leur potentiel d’intégration sur un circuit photonique en silicium. Cette analyse sera réalisée grâce à des moyens numériques existant pour les calculs électro-optiques (Lumerical, PhotonDesign, …), thermiques (Comsol). Des modèles analytiques pourront être développés pour une compréhension détaillée des phénomènes physiques en présences, et ainsi être à même de pousser les performances des micro-lasers au-delà de l’état de l’art. Les contraintes de fabrications devront également être prises en compte afin de choisir une microcavité laser d’intérêt capable d’être fabriqué ultérieurement sur des lignes de fabrications CMOS (200 ou 300mm).
Contact: Dr. Karim HASSAN, CEA-LETI, Laboratoire de Photonique sur Silicium, karim.hassan@cea.fr

  • Mots clés : Optique et optronique, Optique et optronique, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 6985
  • Contact : karim.hassan@cea.fr
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