Offres de Thèses, Stages et Post-docs

nombre d'offres : 1

Etude de la fiabilité et des mécanismes de dégradation dans les composants GaN sur silicium pour des applications de puissance

Mail Sélection

Date de début : 1 octobre 2018

Offre n° SL-DRT-18-0438

L’avènement des véhicules électriques et des batteries de stockage d’énergie ont conduit à une croissance très importante du marché des composants de moyenne puissance. Les futures générations de composants devront supporter des tensions de l’ordre de 600V et devront fonctionner à des hautes fréquences (1 MHz ou plus). Les composants GaN sur silicium sont vus à l’heure actuelle comme les meilleurs candidats pour atteindre ces spécifications. Le CEA-Leti développe sa propre filière GaN sur Si, partant du wafer de silicium allant jusqu’au module de puissance final. Dans ce cadre, les composants développés au Leti, possédant une architecture disruptive basé sur une grille de type MOS, ont récemment démontré d’excellentes performances statiques et dynamiques.

Les dégradations temporelles sous stress (électriques, thermiques …) ainsi que les mécanismes de défaillances des composants sont en revanche mal connus. Le but de la thèse vise à étudier la dégradation des performances des composants GaN sur silicium (diodes et transistors) au travers de techniques de caractérisation électriques avancées (BTI, TDDB, HTRB etc…). Une attention particulière sera apportée à la modélisation physique des phénomènes observés. Une partie du travail portera sur la compréhension des mécanismes de défaillances en utilisant des méthodologies de localisation de défauts (IR, LEM) pour ensuite remonter à l’origine physique de la défaillance par des méthodologies de nanocaractérisations (FIB, MEB, TEM, XPS …). Le candidat devra être en étroite collaboration avec les équipes en charge de la réalisation et de la conception des composants afin d’apporter un support à l’évolution de la filière GaN sur silicium.

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : SL-DRT-18-0438
  • Contact : william.vandendaele@cea.fr
En naviguant sur notre site, vous acceptez que des cookies soient utilisés pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d’intérêts. En savoir plus
X