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nombre d'offres : 1

Passivation de détecteurs IR à base de CdHgTe : amélioration de la compréhension et lien avec le procédé de dépot

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Date de début : 1 octobre 2018

Offre n° SL-DRT-18-0517

Le Département Optique et Photonique du LETI, mènent des travaux de recherche et de développement sur des imageurs infrarouge à base de matrices de photodiodes réalisées sur le semi-conducteur composé CdHgTe.

Dans ces détecteurs à base de photodiode, le rôle des surfaces, par rapport à celui du volume du semiconducteur, devient prédominant avec la miniaturisation des composants. L’augmentation de la performance de ces imageurs, tant en terme de signal sur bruit, qu’en terme de pixels défectueux, requiert une excellente connaissance du fonctionnement physique du dispositif (notamment en termes de dopage, durée de vie des porteurs, ingénierie de gap), ainsi qu’une bonne adaptation et un bon contrôle des procédés technologiques de fabrication. Parmi ces procédés, la passivation joue un rôle primordial dans le fonctionnement des photodiodes à base de CdHgTe. Le lien entre les procédés de réalisation de la passivation (préparation de surface, techniques et conditions de dépôt), les caractéristiques mécaniques, physico-chimiques, et électriques de cette couche, avec la performance des photodiodes reste à affiner. La thèse se propose d’évaluer expérimentalement la technique de dépôt par couche atomique (ALD), technique désormais classique dans la microélectronique Si, qui émerge seulement dans les filières CdHgTe.

La passivation est un point clé qu’il nous faut étudier de façon approfondie pour faire émerger les prochaines générations de détecteurs IR très haute performance.

  • Mots clés : Physique de l'état condensé, chimie et nanosciences, Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, Physique du solide, surfaces et interfaces, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : SL-DRT-18-0517
  • Contact : francois.boulard@cea.fr
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