Offres de Thèses, Stages et Post-docs

nombre d'offres : 1

Dopage du GaN par implantation Ionique et recuits innovants

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Date de début : 1 octobre 2018

Offre n° SL-DRT-18-1001

En réponse aux besoins sociétaux sur la préservation de l’environnement et sur les énergies alternatives, le CEA développe une activité sur la réalisation de composants de puissance. Pour cela, le CEA a choisi une technologie de rupture basée sur l’utilisation du Nitrure de Gallium qui doit permettre de s’affranchir des limites théoriques du silicium. Les technologies à base de GaN sont cependant beaucoup moins matures que celles basées sur l’utilisation du silicium.

L’objectif de ce travail de thèse sera de contribuer à mettre en place la brique technologique de dopage du GaN par implantation ionique et de rechercher des recuits innovants permettant de recuire à très haute température afin d’activer les dopants sans endommager la structure du wafer GaN sur Si. Malgré des progrès importants ces dernières années, la réalisation de procédés de dopage efficaces et la compréhension des mécanismes associés restent des challenges importants.

Ce travail impliquera donc, entre autres, le développement de procédés d’implantation ionique et de traitements thermiques innovants qui seront notamment évalués et comparés aux procédés de référence. Un focus particulier sera porté sur la compréhension et la modélisation de l’impact des défauts créés par le procédé d’implantation et leur évolution pendant les traitements thermiques sur l’activation des dopants. Pour cela, de nombreuses techniques de caractérisations physico-chimiques, structurales, optiques et électriques (SIMS, TEM, RBS / MEIS, Diffraction X, PL, ECV, Sonde atomique tomographique, Effet Hall…) seront mises en œuvre ou développées. L’objectif final des travaux, en lien avec les équipes d’intégration, sera de développer des procédés de dopage adaptés aux spécifications des dispositifs envisagés.

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, Matériaux et applications, DTSI, Leti
  • Laboratoire : DTSI / Leti
  • Code CEA : SL-DRT-18-1001
  • Contact : frederic.mazen@cea.fr
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