Premiers produits Exagan basés sur la technologie GaN

La start-up Exagan a introduit au salon allemand PCIM ses deux premiers produits, le transistor de puissance G-FET^TM et l’interrupteur intelligent G-DRIVE^TM.  Ils s’intègrent facilement dans des chargeurs rapides au standard USB-C pour smartphones, tablettes, ordinateurs portables et autres équipements. D’ici 2021, le nombre de ces chargeurs devrait se chiffrer par milliards.

Exagan table sur sa technologie nitrure de gallium sur silicium (GaN), développée avec le Leti, pour se tailler une place de choix sur ce marché. Son matériau garantit une efficacité de conversion optimale et un échauffement minime. Il permet aussi de placer des fonctions intelligentes (diagnostic, pilotage, auto-sécurité) au plus près des transistors. Exagan va décliner G-FET^TM et G-DRIVE^TM en sept produits génériques pour marchés de fort volume.

Contact : frederic.dupont@exagan.com

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