Etude d’architectures de transistors verticaux en GaN

Cadre et contexte :
Le LETI transfère actuellement une technologie de composants de puissance AlGaN/GaN épitaxiés sur substrats Silicium 200mm avec un industriel reconnu dans le domaine du développement de composants de puissance (Silicium, SiC, …).
Le sujet de stage vise à préparer la future génération de dispositifs GaN qui seront avec une architecture verticale. Les composants actuellement disponibles ont une architecture latérale. Ils permettent de réaliser des circuits de conversion électrique jusqu’à environ qq. 10kW. Le passage à une architecture verticale permettrait d’adresser des niveaux puissance allant jusqu’à 10MW.
Le travail de stage consistera à initier une étude en dimensionnement par simulation TCAD (Technology Computer Assisted Design) de plusieurs options géométriques. L’étude sera en collaboration avec LUMILOG (filiale SAINT-GOBIN), fournisseur de substrats GaN.

Travail demandé
Le stage s’articulera autour des points suivants:
  -Etude bibliographique des architectures de composants GaN verticaux,
  -Echanges avec les laboratoires de filière et procédés III-V pour identifier les architectures potentiellement réalisables,
  -Simulation par éléments finis (TCAD, avec outils Synopsys) des structures identifiées,
  -Dimensionnement en vue d’une inclusion dans un jeu de réticules.

Moyens mis en œuvre :
Outils de modélisation éléments finis (TCAD Synopsys).

Si vous êtes intéressé par cette offre de stage, merci de bien vouloir envoyer un CV ainsi qu’une lettre de motivation à julien.buckley@cea.fr

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