Optimisation électrique des flancs verticaux des tranchées dans les micro-LED GaN par implantation ionique

Publié le : 24 octobre 2018

Amélioration des défauts post-gravure des tranchées d’isolation de pixels de LED GaN. Ces améliorations concernent l’amélioration des courants de fuite de la jonction et/ou la qualité des contacts électriques. Il s’agira d’optimiser des paramètres d’implantation ionique et les recuits thermiques post-implantation.
Pour candidater, merci d’envoyer directement CV+LM à hubert.bono@cea.fr

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