Simulation de circuits complexes en Photonique sur Silicium et de leur intégration en modules

Publié le : 24 octobre 2018

Au sein du Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA LETI, le Laboratoire d’Imagerie «Infrarouge Refroidi » (LIR) développe les nouvelles générations de détecteurs « infrarouge » refroidis à base du semi-conducteur CdHgTe, dédiés à des applications de défense, des applications spatiales (cartographie satellitaire IR, prévision météo), des applications scientifiques d’astrophysique, ainsi que des applications médicales. Ces travaux sont menés en étroite collaboration avec Sofradir, aujourd’hui leader mondial en imageur IR.
Le LIR dispose d’une forte expertise en caractérisation et en simulation des composants pour l’imagerie IR. Cette expertise concerne notamment l’étude des caractéristiques I(V), C(V), les réponses spectrale et spatiale, les mesures d’effet Hall et de durée de vie. L’analyse des mesures de l’effet Hall nécessite un traitement particulier pour extraire un spectre de mobilités. La méthode développée au LIR est le f-MEMSA (full Maximum Entropy Mobility Spectrum Analysis) qui utilisent le principe de maximum d’entropie et le théorème de Lagrange.
Le stagiaire devra dans un premier temps se familiariser avec les différentes MSA via une étude bibliographique et la compréhension du code existant qu’il pourra adapter si des voies d’améliorations majeures sont détectées. Ensuite, il implémentera une MSA sur la base de l’algorithme de Bryan et/ou sur une autre méthode innovante issue de l’étude bibliographique. Finalement, le stagiaire comparera la ou les solutions optimisées à l’existant grâce à des vecteurs de tests prédéfinis.
Autonomie et force de propositions sont des qualités requises pour mener cette étude.

Merci de candidater à l’adresse suivante :alexandre.ferron@cea.fr

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