Composants à base de jonctions tunnel ferroélectriques (FTJs) pour applications mémoires et circuits neuromorphiques ultra-basse consommation

Publié le : 8 février 2020

Depuis la découverte de la ferroélectricité dans le HfO2 il y a une dizaine d’années, ce matériau suscite beaucoup d’intérêt pour stocker de manière non volatile de l’information dans des mémoires ultra faible consommation, via l’application d’un champ électrique pour renverser sa polarisation électrique. Plus récemment encore, des résultats préliminaires de jonctions tunnel ferroélectriques ont été démontrés avec ce type de matériau scalable et compatible CMOS. Dans ce dernier cas la couche ferroélectrique permet de moduler, en fonction de sa polarisation, le courant tunnel qui passe au travers de la jonction, ouvrant de nombreuses perspectives pour ces nouveaux dispositifs.

L’objectif de la thèse sera de fabriquer, caractériser, et modéliser des jonctions tunnels ferroélectriques à base de HfO2, afin de mieux comprendre la physique de ces dispositifs, puis d’en optimiser leur performance. Dans un second temps, ces dispositifs optimisés seront co-intégrés en matrice au sein de circuits CMOS complexes, dans le but de les utiliser comme synapses artificielles dans un processeur neuromorphique très basse consommation. Ce travail s’effectuera avec des partenaires européens dans le cadre du projet H2020 BeFerroSynaptic.

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