Développement de points mémoire SOT-MRAM à anisotropie perpendiculaire

Publié le : 15 juillet 2019

La miniaturisation des composants, essentielle à l’amélioration des performances des circuits électroniques, s’accompagne aujourd’hui d’une augmentation importante de la consommation énergétique. La nécessité de remplacer les technologies actuelles des composants mémoire par des technologies énergétiquement plus efficaces a favorisé le développement des mémoires magnétiques à accès direct (Magnetic Random Access Memories – MRAM). La technologie à écriture par « couple de transfert de spin » (Spin-Transfer Torque MRAM – STT MRAM) semble très prometteuse en termes de performances mais ne permet pas de remplacer les mémoires les plus rapides. Le laboratoire SPINTEC travaille depuis 2010 sur un concept innovant, appelé SOT-MRAM, dans lequel l’écriture de l’information est réalisée via un phénomène physique appelé « interaction spin-orbite » et qui permettrait de réaliser des mémoires embarquées très rapides de l’ordre du GHz. Néanmoins des défis technologiques majeurs restent à relever pour atteindre l’objectif final : l’industrialisation de la technologie SOT-MRAM. C’est dans ce contexte que s’est créée la société Antaios en 2017 et que s’inscrit ce sujet de thèse. Ce travail portera plus spécifiquement sur le développement de cellules mémoire SOT-MRAM avec une configuration perpendiculaire de l’aimantation. L’objectif du projet est de rendre cette configuration déterministe tout en conservant de bonnes performances (vitesse, endurance, rétention…).

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