Ingénierie des contraintes pour la technologie FDSOI 12 nm et au-delà.

Publié le : 15 juillet 2019

L’ingénierie des contraintes est un outil majeur pour améliorer les performances des transistors. La contrainte de traction augmente la mobilité des électrons et la compression améliore la mobilité des trous. La mobilité des trous est également favorisée par l’utilisation du canal SiGe. Dans le FDSOI avancé, la co-intégration des canaux Si pour les canaux nMOS et SiGe pour les pMOS est réalisée par la transformation de la couche de Si supérieur en SiGe par condensation au Ge. Pour cela, une épitaxie d’un SiGe est effectuée sur une zone de Si sélectionnée. Au cours de l’oxydation thermique, les atomes de Ge sont rejetés dans la couche de Si sous-jacente. L’oxyde enterré (BOX) de la tranche SOI agit comme une barrière de diffusion pour Ge, le résultat est un substrat local SiGe-On-Insulator (SGOI). Le film de SiGe est obtenu en conservant le paramètre de réseau dans le plan de Si et se trouve donc sous une contrainte de compression biaxiale dans le plan de croissance. Aujourd’hui, la technique de condensation permet une co-intégration de transistors pMOS à base de SiGe à contrainte de compression et à base de Si.

Le problème: lorsque le cSiGe fabriqué par Ge-condensation est arrêté pour la fabrication de la STI, une relaxation élastique locale de la contrainte de compression proche du bord de la STI est naturellement attendue. Cependant, les expériences montrent plus qu’une relaxation élastique sur une grande distance de la discontinuité STI, entraînant une perte significative de contrainte de compression dans la couche et, par conséquent, une contribution moindre à la performance des dispositifs. En résumé, les mécanismes physiques à l’origine de ce comportement sont inconnus aujourd’hui et ont un impact majeur sur la CMOS avancée. Ce travail a pour objectif de faire la lumière sur ce sujet et de proposer / développer des solutions technologiques.

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