Intégration de commutateurs RF à base de matériaux chalcogénures à changement de phase

Publié le : 14 mars 2021

Afin de répondre aux attentes des futurs réseaux cellulaires 5/6G et satellites SATCOM, il est nécessaire de développer des systèmes RF (Radiofréquence) plus performants et agiles. Dans ce contexte, de nouvelles technologies de commutateurs RF basées sur des matériaux chalcogénures à changement de phase suscitent une forte attention car elles offrent des solutions en rupture pour réaliser des circuits RF reconfigurables, à faible consommation d’énergie, rapides, miniatures et intégrables sur des circuits CMOS.

L’objectif de la thèse est donc de développer une nouvelle filière technologique de commutateurs RF basée sur ces matériaux chalcogénures pour les futurs systèmes de télécommunications sans fils. Le travail demandé est pluridisciplinaire et sera réalisé en collaboration étroite entre trois départements du CEA-LETI apportant leur expertise sur la synthèse de nouveaux matériaux, sur l’intégration technologique de composants RF innovants et sur le développement de fonctions électroniques avancées.

Le/la doctorant(e) définira les principales spécifications des commutateurs pour les applications visées et cherchera à identifier les propriétés clés requises pour le matériau à changement de phase. Il évaluera différents alliages de matériaux chalcogénures et développera une filière d’intégration technologique des commutateurs permettant d’optimiser la fiabilité et les performances électriques et énergétiques du composant. Enfin il concevra des circuits RF innovants et étudiera l’impact des paramètres de design sur les performances globales du système au sein d’un démonstrateur applicatif.

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