Mémoires ferroélectriques ultra-basse consommation à base de HfO2 ferroélectrique: vers des matrices intégrables au noeud 28nm

Publié le : 14 mars 2021

La découverte récente des propriétés ferroélectriques du matériau HfO2 déposé en couches minces génère actuellement un intérêt très fort dans la communauté scientifique. En effet cette découverte ouvre la voie à l’intégration de mémoires non volatiles ultra faible consommation au sein de nœuds technologiques les plus avancés. Très récemment, des résultats très prometteurs ont été présentés par notre groupe sur l’intégration de capacités ferroélectriques à base de HfO2 (FeRAM) dans le Back-End de circuits CMOS 130nm. L’objectif de la thèse sera d’optimiser les performances mémoires de ces FeRAM (cyclabilité, fenêtre mémoire, temps d’écriture et de lecture, tenue en température), de les intégrer au sein de matrices, et de montrer qu’il est possible de réduire leur dimension afin de les intégrer dans des nœuds technologiques avancés (28nm FDSOI).

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