Des spins dans le germanium, à température ambiante

Verra-t-on un jour des composants électroniques qui associent courant électrique et courant magnétique ? Une équipe grenobloise (INAC, UJF, Crocus, CNRS, Thales) vient en tout cas de franchir un pas dans cette direction. Elle a injecté des spins à température ambiante dans du germanium, matériau compatible avec la microélectronique, grâce à une jonction tunnel constituée d’un matériau magnétique et d’oxyde de magnésium.
Le silicium avait été écarté car ses propriétés physiques rendent plus difficile la manipulation d’un courant de spin. Avec le germanium, ce courant reste polarisé sur une distance supérieure à 1 micron et pourra être exploité. Les chercheurs se penchent aujourd’hui sur la conception d’un nanodispositif utilisant charge et spin. Leurs travaux ont été publiés dans Physical Review Letter.

Contact : matthieu.jamet@cea.fr

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