Offres de Thèses, Stages et Post-docs

nombre d'offres : 99

Stage-Etude de Faisabilité de micro-laser hybrides III/V sur silicium fin H/F

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Offre n° 6985

Les liens optiques fibrés sont aujourd’hui communément utilisés pour les télécommunications longue distance (Metro, FFTH) et courte distance (Datacenters). L’amélioration des performances ainsi que la co-intégration des circuits optiques avec les circuits électroniques restent un enjeu majeur pour les décennies à venir afin de réduire la consommation énergétique des centres de calcul et des outils de communications associés.
La photonique sur silicium apparait dans ce contexte comme une solution bas coût et facilement intégrable avec l’électronique qui génère et traite les données. Le développement de micro-sources lasers III-V intégrés sur silicium pourrait répondre à certaines problématiques, non seulement pour les communications courtes distance dans les datacenters mais également pour les échanges de données entre puces sur une même carte mère ou encore l’aide aux calculs multiprocesseurs.
L’objectif du stage est d’analyser les différentes microcavités lasers III-V démontrées dans la littérature afin d’évaluer leur potentiel d’intégration sur un circuit photonique en silicium. Cette analyse sera réalisée grâce à des moyens numériques existant pour les calculs électro-optiques (Lumerical, PhotonDesign, …), thermiques (Comsol). Des modèles analytiques pourront être développés pour une compréhension détaillée des phénomènes physiques en présences, et ainsi être à même de pousser les performances des micro-lasers au-delà de l’état de l’art. Les contraintes de fabrications devront également être prises en compte afin de choisir une microcavité laser d’intérêt capable d’être fabriqué ultérieurement sur des lignes de fabrications CMOS (200 ou 300mm).
Contact: Dr. Karim HASSAN, CEA-LETI, Laboratoire de Photonique sur Silicium, karim.hassan@cea.fr

  • Mots clés : Optique et optronique, Optique et optronique, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 6985
  • Contact : karim.hassan@cea.fr

stagiaire procédés de fabrication en micro électronique H/F

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Offre n° 7983

Les procédés de fabrication en micro-électronique génèrent des défauts qui dégradent les rendements de production (nombre de produits fonctionnels en fin de fabrication).
La CMP – polissage mécano-chimique – est une étape aujourd’hui largement utilisée dans toute l’industrie de la micro-électronique (processeurs, imageurs, mémoires, capteurs, …).
Les défauts principaux générés pendant cette étape sont des micro-rayures. Celles-ci impactent directement les rendements et doivent constamment être minimisées, voir supprimées.
La finalité du stage est de mettre en évidence les modes d’apparition de ces micro-rayures pour définir des axes d’optimisation.
Les modes investigués ici seront focalisés sur l’état de surface 3D d’un type de consommables utilisés lors du polissage, les tissus de polissage.
1. Modulation et caractérisation de la micro-texture de tissus de polissage.
2. Mise en relation de cette micro-texture avec la quantité de micro-rayures générée pendant le polissage des plaques.
3.Création d’une méthodologie de révélation de ces défauts, d’abord sur oxyde de silicium puis sur nitrure de silicium.
Profil recherché : physique ou chimie ou matériaux.
Pour postuler à cette offre : merci d’envoyer votre candidature à :
aurelien.seignard@cea.fr

  • Mots clés : Technologies micro et nano, Technologies micro et nano, DTSI, Leti
  • Laboratoire : DTSI / Leti
  • Code CEA : 7983
  • Contact : aurelien.seignard@cea.fr

Matériaux chalcogénures innovants pour circuits neuromorphes photoniques H/F

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Offre n° 7184

Les nouvelles architectures de circuits électroniques dits « neuromorphiques » visent à reproduire le fonctionnement du cerveau pour optimiser la puissance de calcul des ordinateurs et in fine de développer ce qu’on appelle communément l’ « intelligence artificielle ». Les réseaux neuromorphiques photoniques, basés sur la lumière comme vecteur de l’information, offrent de nouveaux potentiels en terme de capacité de calculs. Dans ce cadre au LETI nous nous intéressons au développement des fonctions optiques de base nécessaires pour réaliser ces circuits neuromorphiques. Pour cela, l’un des objectifs est d’identifier un matériau permettant de transiter de manière réversible d’un état vers un autre tout en répondant à un cahier des charges précis en terme de propriétés optiques vs la transition : minimum de variation de perte optique versus le changement de phase, vitesse de transition élevée, faible coût énergétique pour induire la transition, fort contraste d’indice optique entre les deux états … Ainsi, les matériaux chalcogénures à changement de phase (PCM) semblent les matériaux les plus prometteurs. En effet, les PCMs présentent la propriété unique de pouvoir transiter entre une phase amorphe et une phase cristalline avec des propriétés optique et électronique très différentes, ceci de manière réversible et quasi infinie. Aussi, les PCMs sont actuellement déjà très largement utilisés dans les mémoires à changement de phase optiques (avec les DVD-RAM et CD-RW) et électroniques (avec la technologie OptaneTM d’INTEL dévoilée très récemment). Enfin, au LETI nous avons une très longue expérience sur ces matériaux PCMs pour toutes ces applications que ce soit en couches minces ou en nanostructures et d’un point de vue élaboration, caractérisation, modélisation et intégration dans des dispositifs.
L’objectif du stage est de développer un matériau à changement de phase présentant un minimum de pertes optique à 1,55 µm qui est la longueur d’onde utilisée en photonique. L’étudiant déposera par pulvérisation cathodique des couches minces de chalcogénures PCM à base de Ge(Sb)SexTe1-x, avec substitution progressive du Te par le Se afin d’augmenter la transparence du matériau tout en conservant de bonnes propriétés de changement de phase. Pour cela, il étudiera les propriétés de changement de phase en fonction de l’évolution des propriétés optiques par ellipsométrie spectroscopique, détermination de l’énergie d’activation de cristallisation et stabilité thermique de la phase amorphe par réflectivité en température, étude de la phase cristalline par diffraction des rayons X  …. à A l’issue de ce stage et en collaboration avec les équipes du département optronique (DOPT), de 1ers design d’intégration seront réalisés sur la base des propriétés du matériau PCM le plus prometteur (ex. : dépôts sur cavités optiques résonantes).

Pour postuler à cette annonce, merci de contacter M. NOE : pierre.noe@cea.fr

  • Mots clés : Technologies micro et nano, Technologies micro et nano, DTSI, Leti
  • Laboratoire : DTSI / Leti
  • Code CEA : 7184
  • Contact : pierre.noe@cea.fr

Co-intégration 3D de dispositifs mémoire et logique pour des applications In-Memory-Computing H/F

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Offre n° 7409

Le stagiaire commencera par une étude bibliographique des dispositifs mémoires résistives non-volatiles et du calcul dans ces matrices mémoire. Il dimensionnera les transistors de sélection intégrées dans le cube mémoire pour permettre les écriture/effacement/lecture aux tensions d’alimentation visées. Il identifiera les différentes opérations élémentaires (NOR, OR, NAND, AND, TCAM, copy, move….) possible par la topologie du cube mémoire. Pour tout cela, il s’appuiera sur des outils SPICE et TCAD (calibrés sur des mesures expérimentales réalisées sur des mémoires résistives du LETI) pour identifier les signaux (chronogrammes) a appliquer et le nombre de cycles nécessaires a chaque opération. Il en déduira des contraintes technologiques en termes de topologie et connectiques du cube mémoire et de performance des transistors et mémoires, ainsi que les contraintes en termes de programmation (polarisations a appliquer pour ne pas détruire les inputs ou sur-écrire les outputs).
Le but ultime de ce travail serait d’identifier au premier ordre les performances liées a chaque opération de calcul élémentaires (temps et énergie).
Ces performances seront à terme comparées aux performances de ces mêmes opérations réalisées dans un système Von-Neumann classique.
Le stagiaire sera intégré dans une équipe multidisciplinaire avec des expertises en physique des composants CMOS et mémoire, modélisation/simulation, caractérisation électrique et conception de circuit mémoire.

MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A :
francois.andrieu@cea.fr

  • Mots clés : Technologies micro et nano, Technologies micro et nano, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : 7409
  • Contact : francois.andrieu@cea.fr

Caractérisation et optimisation radio-fréquence des dispositifs en technologie fdsoi 3D H/F

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Offre n° 7410

L’intégration séquentielle 3D (3DSI) est une alternative au scaling traditionnel 2D. Elle permet d’incrémenter la densité, efficacité et performance des puces numériques sans diminuer la taille du transistor. De nouvelles configurations de type analog-digital et analog-analog en 3DSI sont développées au Leti via les projets 3DSL prgA et 3D-MUSE. L’approche est également étudiée par l’IMEC et IBM Zurick. L’intégration des fonctions en mm-waves (f supérieur à 30 GHz) au plus proche du digital grâce à la 3DSI est un domaine avec un fort potentiel.
L’objectif du stage est d’étudier le potentiel de la technologie coolcube du Leti pour des applications en mm-waves. Le stage comportera différentes étapes:
-Etat de l’art de 3D séquentiel et non-séquentiel pour la RF
-Analyse des premières mesures RF réalisées en 2018
-Caractérisation RF & mm-waves du masque de Déc-2018
-Modélisation du comportement de la technologie coolcube en haute fréquence (> 150 GHz)
-Proposition des dispositifs à intégrer lors du prochain masque (mi-2019) pour optimiser la caractérisation de la technologie coolcube en RF

MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A :
 jose.lugo@cea.fr

  • Mots clés : Technologies micro et nano, Technologies micro et nano, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : 7410
  • Contact : jose.lugo@cea.fr
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