Offres de Thèses, Stages et Post-docs

nombre d'offres : 229

Correction des instabilités d’un futur détecteur RX de couleur pour l’imagerie médicale et le contrôle de sécurité

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Offre n° 3386746

Le Laboratoire Détecteur (LDET) du CEA-LETI développent des détecteurs de rayons X résolus en énergie à base de semi-conducteurs tels que le CdTe ou le CdZnTe. Les progrès récents réalisés sur ce type de détecteur, ainsi que le développement de circuits électroniques de lecture rapides, permettent d’envisager leur utilisation pour des applications d’imagerie ou de tomographie des rayons X résolue en énergie. Comparée à l’imagerie X mono-spectrale standard, les imageurs RX de couleur capables de mesurer l’énergie des rayons X apportent des informations sur la composition chimique des matériaux. En tomographie, ils permettent d’améliorer la qualité des volumes reconstruits en réduisant les artefacts liés au durcissement de spectre.
Les flux X très élevés auxquels sont soumis les détecteurs dans les applications d’imagerie des rayons X, pouvant aller jusqu’à 108 X/mm²/s, constituent un défi majeur pour ce type de technologie. Les détecteurs CdTe et CdZnTe, lorsqu’ils sont soumis à de tels flux photoniques, peuvent présenter des instabilités liées à l’apparition d’une charge d’espace dans le matériau. Ces instabilités peuvent avoir des conséquences importantes sur la qualité des images en radiographie et, dans le cas de la tomographie, introduire des artefacts lors de la reconstruction 3D. La réduction ou la correction de ces instabilités est donc un enjeu important pour le succès de cette nouvelle technologie.
L’objectif du stage est d’étudier le comportement du détecteur à très fort flux du point de vue de la stabilité de sa réponse. Le stagiaire disposera d’un banc d’imagerie RX avec des prototypes de détecteurs récemment transférés. Il mettra en œuvre des outils pour étudier les causes physiques qui sont à l’origine de ces instabilités. A partir d’une meilleure compréhension des phénomènes obtenus grâce à cette étude il proposera des voies d’améliorations pour réduire les instabilités de détecteur, ainsi que des méthodes de traitement permettant de les corriger. Enfin il évaluera l’impact de ces améliorations sur la qualité image et sur la reconstruction tomographique.

  • Mots clés : Physique, Physique, DTBS, Leti
  • Laboratoire : DTBS / Leti
  • Code CEA : 3386746
  • Contact : andrea.brambilla@cea.fr

Systèmes d’imagerie intégrant des capteurs courbes: caractérisation et performances optiques

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Offre n° 3386798

Les développements sur les imageurs incurvés sont aujourd’hui en pleine essor avec le support de plusieurs industriels tels que Sony, Microsoft, Nikon ou encore Apple. Depuis plusieurs années, le LETI travaille au développement d’imageurs incurvés et a développé une expertise unique en Europe. Identifiés comme une solution simplifiant la conception optique, ce type de détecteurs apporte pour les clients du CEA plusieurs avantages techniques et industriels parmi lesquels nous pouvons citer le gain en masse, en encombrement, ou encore en qualité d’image pour les systèmes optiques. Aujourd’hui, notre but est de valoriser cette technologie à travers des démonstrateurs, et stimuler l’ouverture de nouveaux débouchés commerciaux. Pour arriver à ce but, il est nécessaire de connaître précisément les caractéristiques électro-optiques de ces circuits imageurs CMOS courbes et de quantifier les gains sur les performances optiques.
Ce stage se déroulera au sein du Laboratoire d’Assemblage et de Packaging pour la Photonique (LA2P) du département d’optique et photonique (DOPT) du CEA-LETI et s’inscrit dans la thématique visualisation/visible du laboratoire. Des déplacement au Laboratoire d’Astrophysique de Marseille (LAM) seront effectués pour les phases de tests optiques et de caractérisation. Le travail se focalisera dans un premier temps sur l’identification et la mesure des paramètres optiques clés de ces systèmes à capteurs courbes. Dans une seconde phase, les mesures optiques seront effectuées sur un prototype actuellement en cours d’assemblage. La finalité du stage est axée sur la compréhension et la mesure des gains apportés par l’utilisation d’imageurs courbes en regard des systèmes actuels utilisant des capteurs plans.
Concrètement, il sera demandé de prendre en main les méthodes de caractérisation optique de ces systèmes optiques. Cette phase sera renforcée par les compétences du LIV (Laboratoire d’Imagerie Visible du CEA) et du LAM. La manipulation et l’analyse des données se fera sur un logiciel de calcul numérique (type Matlab ou Scilab). La personne candidate prendra en main à la fois les aspects théoriques et pratiques, afin d’apporter un avis critique sur les résultats obtenus. Des synthèses de résultats seront demandées régulièrement afin d’assurer un encadrement fréquent et orienter le travail au mieux.
La personne candidate, issue d’une formation niveau M2/ingénieur généraliste ou ingénieur optique ayant des connaissances en instrumentation et électronique, devra présenter une bonne autonomie, rigueur et esprit de synthèse. les responsables de stage s’engagent à ne pas faire de distinction sur les candidatures quelque soit le genre, les origines ou les orientations.
Contacts: bertrand.chambion@cea.fr / aurelie.vandeneynde@cea.fr

  • Mots clés : Opto-électronique, Optique, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 3386798
  • Contact : bertrand.chambion@cea.fr

Caractérisation d’un dépôt SnAg par Electrolyse

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Offre n° 3386797

Le stage se déroulera au sein du laboratoire d’assemblage et de packaging pour la photonique (LA2P). Ce laboratoire ce situe au sein du laboratoire de microélectronique (LETI, http://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti) du CEA, il développe de nombreuses solutions de packaging concernant des composants en rapport avec la photonique. il est composé d’un peu plus d’une vingtaine de personnes et se situe au bâtiment des hautes technologies de Minatec à Grenoble, qui comporte plusieurs centaine de m2 de salle blanche. Le laboratoire du LA2P développe notamment des technologies d’interconnexion de puces électroniques dans les domaines de la détection infrarouge, l’éclairage, l’émission type micro-écran, l’imagerie thermique, ou encore la photonique. Ces technologies consistent à assembler une puce de détection ou d’émission de photon, sur un circuit intelligent de contrôle. Cet ensemble est ensuite intégré dans un boitier pour du test ou la fabrication de prototypes. Dans ces domaines un des challenges est la réduction de la taille du pixel. Les imageurs ou détecteurs contiennent de plus en plus de pixel à des tailles de plus en plus petites. Pour assembler ces deux composants ensemble il est nécessaire après leur fabrication de réaliser des plots d’interconnexion qui vont assurer le contact mécanique et électrique entre les deux puces. Ces éléments de contact sont réalisés en salle blanche sur des plaquettes de silicium de 200mm de diamètre. Ils constituent des éléments de soudure, qui sont typiquement déposés par électrolyse en Cu/SnAg à de très petite dimensions (5µm de diamètre). S’il est facile de réaliser ces éléments de soudure (appelé aussi plots) à des dimensions plus élevées, typiquement 25µm de diamètre, il est beaucoup plus compliquer de les fabriquer à des diamètres de 5µm. Un des challenges étant de contrôler l’uniformité de hauteur de ces éléments fabriqués sur toute la surface d’une plaquette de Silicium. Durant ses travaux, le stagiaire sera donc amené à caractériser les plots réalisés sur plaquette de silicium. Ces caractérisations se feront à l’aide d’équipement de mesure de la micro-électronique tel que des MEB, des interféromètres. Une méthode systématique de mesure permettra de déterminer l’uniformité sur une plaque, sur une puce et entre plaque. Des échantillons pourront également être préparé soigneusement (découpé et poli) afin d’effectuer des observations en coupe des plots. Le stagiaire sera suivie par un ingénieur du laboratoire LA2P. Il devra se faire former sur les différents équipement de mesures, être capable de rendre compte de ses résultats et de les organiser. Le travail doit s’effectuer au sein d’une salle blanche fonctionnant en mode plate forme avec de nombreux interlocuteurs ,une grande autonomie et capacité d’adaptation sera donc nécessaire.

  • Mots clés : Mesures physiques, Physique, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 3386797
  • Contact : marion.volpert@cea.fr

Pseudo substrat d’InGaN à forte concentration d’indium par implantation ionique

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Offre n° 3386796

Il s’agit de réaliser des couches ultra-minces d’InGaN à concentration forte et contrôlée d’indium. Ces couches doivent avoir une qualité cristalline compatible avec une épitaxie de structure LED. La maitrise de la concentration sera déterminée par les paramètres d’implantation et les conditions de recuit. Des courbes de type arrhenius pour la cinétique de recristallisation seront déterminées pour les différentes concentrations d’indium.

  • Mots clés : Matériaux, Matériaux, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 3386796
  • Contact : hubert.bono@cea.fr

Caractérisation matrices de LED petit pas

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Offre n° 3386795

Il s’agit de réaliser des caractérisations Electro Optiques et matériaux sur des matrices de LED GaN a très faible pas.
On particulier, le stagiaire s’attachera à évaluer l’impact de la taille de la µLed sur les performances Optiques de celle ci et à faire le lien avec les caractérisations matériaux réalisées sur la plateforme nanocaractérisation du LETI.

  • Mots clés : Matériaux, Matériaux, DOPT, Leti
  • Laboratoire : DOPT / Leti
  • Code CEA : 3386795
  • Contact : julia.simon@cea.fr
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