Offres de Thèses, Stages et Post-docs

nombre d'offres : 16

Etude in situ et operando des mécanismes de vieillissement de batteries Li-ion à électrodes à base de silicium par des techniques couplées de diffusion du rayonnement et de caractérisations électrochimiques

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Date de début : 1 avril 2017

Offre n° PsD-DRF-17-0006

An 18-month post-doctoral position is offered at the Institute for Nanoscience and Cryogenics (INAC) at Grenoble, France. INAC is a joint CEA-UGA research institute. It is a major actor in fundamental research on condensed matter, soft matter and cryogenics. Research programs on energy conversion and storage are focused on the characterization of the structure and properties of nanomaterials using cutting-edge techniques, including Large Scale Facilities.

The post-doctoral position is offered in the framework of a European H2020 project dedicated to develop Silicon-based Lithium-ion batteries with improved operation time. Our task is to provide understanding of ageing mechanisms in composite electrodes by means of cutting-edge in situ and operando scattering techniques on lab instruments and at world-class Large Scale Facilities (synchrotron radiation and neutrons), coupled with electrochemical characterizations.

  • Mots clés : Physique de l'état condensé, chimie et nanosciences, Sciences pour l'ingénieur, Chimie physique et électrochimie, Matériaux et applications, INAC, SyMMES
  • Laboratoire : INAC / SyMMES
  • Code CEA : PsD-DRF-17-0006
  • Contact : sandrine.lyonnard@cea.fr

Capteur biologique interrogeable à distance et utilisant les matériaux 2D (Graphène, MoS2)

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Date de début : 1 novembre 2016

Offre n° PsD-DRT-16-0115

L’objectif de ce contrat de post-doctorat réside dans la réalisation d’un prototype de capteur biologique réalisé en utilisant des matériaux 2D qui pourra être interrogé à distance grâce à une antenne RF, réalisé simultanément et à proximité du biocapteur. Le post-doctorant prendra en charge la conception, la fabrication et la caractérisation de ce prototype pour répondre aux spécifications attendues. Au sein de l’environnement du CEA-LETI, le post-doctorant prendra en charge la réalisation du capteur, de sa conception à sa caractérisation finale. A partir d’une modélisation adaptée il concevra tout d’abord une architecture capteur combinant des chemiresistors et/ou transistors graphène à grille liquide à une antenne RF. Une fois le design réalisé, il adaptera les méthodes de transfert de matériaux 2D déjà existantes pour proposer un protocole de fabrication simple et innovant. Grâce à ce process de fabrication, il fabriquera les premiers prototypes de capteurs. Après avoir validé l’interrogation des biocapteurs via un dispositif d’antenne RF, le post-doctorant réalisera les tests de biodétection afin de déterminer la sensibilité des dispositifs réalisés. Dans un second temps, le post-doctorant étudiera les procédés de transfert sur substrat arbitraire de MoS2 déposé par voie chimique et établira un protocole technologique permettant d’interfacer graphène et MoS2 au sein d’un même dispositif. Le but sera d’amplifier la sensibilité des biocapteurs visés par le projet.

  • Mots clés : Physique de l'état condensé, chimie et nanosciences, Sciences pour l'ingénieur, Instrumentation, Physique du solide, surfaces et interfaces, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : PsD-DRT-16-0115
  • Contact : thomas.alava@cea.fr

Résonateurs et filtres à ondes élastiques de plaque agiles en fréquence

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Date de début : 1 mars 2017

Offre n° PsD-DRT-17-0011

L’accroissement du nombre de bandes de fréquences différentes devant être prises en compte pour la téléphonie mobile entraîne une explosion du nombre de filtres passe-bande utilisés dans ces systèmes. Dans cette optique, la possibilité de rendre des résonateurs et des filtres agiles en fréquence se présente comme un élément clef des futurs systèmes de transmission sans fil.

Le CEA LETI travaille depuis plusieurs années au développement de résonateurs et de filtres à ondes élastiques, notamment guidées dans des films minces piézoélectriques. En parallèle, il a proposé plusieurs concepts de résonateurs et de filtres agiles en fréquence.

Le but de ce post-doc consistera donc à approfondir ces idées et à travailler à la conception de ces composants. En interaction avec les membres de l’équipe projet responsables de la fabrication de ces composants, le candidat étudiera différentes structures permettant d’apporter de l’agilité ou de la reconfigurabilité à ces composants, proposera des solutions innovantes, et caractérisera les composants réalisés en salle blanche. Des démonstrateurs répondant à des applications concrètes seront enfin proposés et réalisés.

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, Mathématiques - Analyse numérique - Simulation, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : PsD-DRT-17-0011
  • Contact : alexandre.reinhardt@cea.fr

Optimisation du cascode monolithique de puissance en technologie MOS-ChannelHEMT GaN/Si

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Date de début : 1 février 2017

Offre n° PsD-DRT-17-0017

Afin de répondre au besoin de la conversion d’énergie, notamment pour les applications automobile ou photovoltaïque, la technologie des transistors de puissance GaN/Si s’oriente aujourd’hui vers des composants E-mode avec des performances agressives en termes de tension de seuil (>2V), de courant nominal (100-200A), de tension de claquage (650 et 1200V) et d’immunité au phénomène de « current collapse ». Le cascode discret est assez largement utilisé aujourd’hui pour répondre à ce besoin (Transphorm, On-Semi, NXP, IR…) mais il présente certains problèmes spécifiques (inductances parasites, appairage, composants additionnels, coût, fonctionnement limité en température lié à la puce Si …). Le cascode monolithique est une version très compacte du cascode qui doit permettre d’éviter ces problèmes mais aussi d’améliorer les performances des transistors E-mode intrinsèques (MOS-C HEMT ) étudiés au Leti. D’autres acteurs du GaN ont d’ailleurs suivi une approche similaire sur une autre technologie E-mode intrinsèque de type p-GaN gate, sans nécessairement l’afficher comme telle.

Le Leti a fait récemment la démonstration de ce cascode monolithique dans le cadre d’une thèse 2014-2016 sur la base de sa technlologie MOS-C HEMT, compatible C-MOS en GaN/Si 200mm. Ce post-doc propose d’optimiser ce composant dans la continuité des travaux de thèse. Il doit permettre d’améliorer les performance de ces transistors en terme de Ron, Ron.specifique, pertes de commutation et fréquence de fonctionnement afin de répondre au besoin de nos partenaires industriels.

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, DCOS, Leti
  • Laboratoire : DCOS / Leti
  • Code CEA : PsD-DRT-17-0017
  • Contact : erwan.morvan@cea.fr

Exploration et comparaison de technologies More-Than-Moore pour les futures architectures de calcul.

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Date de début : 1 avril 2017

Offre n° PsD-DRT-17-0030

Dans le contexte d’une collaboration avec l’Université de Stanford (USA), le CEA-LETI propose un PostDoc dont l’objectif est d’explorer et de comparer des technologies avancées, telles que l’intégration 3D (CoolCube, 3D Haute Densité), et les mémoires non volatiles, pour définir les futures architectures qui bénéficieront de ces nouvelles technologies, telles que les imageurs, les réseaux de neurone, les architectures de calcul massivement parallèle.

Dans le PostDoc, il est proposé d’explorer conjointement les paramètres technologiques et d’architecture pour raffiner progressivement ces architectures. Le travail consistera à:

– Collecter les paramètres des technologies More-Than-Moore,

– Raffiner les paramètres liés à la conception, via la simulation de modèles bas niveaux,

– Développer une modèle générique multi-couche multi-technologie d’un circuit 3D, prenant en compte les différents paramètres technologiques et d’architecture,

– Mettre en place un plan d’expérience afin d’explorer les paramètres du système, en fonction de l’application visée,

– Faire le lien entre le modèle d’exploration et un modèle d’architecture plus détaillé,

– Participer à la conception d’un prototype, qui sera fabriqué, validé et mesuré sur silicium,

– Disséminer les résultats scientifiques (conférences, journaux).

La PostDoC aura lieu au sein du CEA-LETI Grenoble, qui possède une forte expérience en architecture système, en technologie 3D et mémoire non volatile, et en collaboration avec l’Université de Stanford, qui a une solide expérience dans les applications visées et les interactions architecture-technologie.

Pour ce PostDoC, un étudiant expérimenté est souhaité, avec un fort niveau de motivation, une capacité à proposer des idées innovantes, et la capabilité de travail en autonomie au sein d’une équipe de recherche.

Compétences souhaitées : Architecture système, modélisation système, conception niveau transistor, technologies More-Than-Moore, niveau d’anglais élevé exig

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, DACLE, Leti
  • Laboratoire : DACLE / Leti
  • Code CEA : PsD-DRT-17-0030
  • Contact : pascal.vivet@cea.fr
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