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nombre d'offres : 20

Développement de Couches Minces de ZnO avec Dopage Contrôlé pour leur Intégration dans des Dispositifs Piézoélectriques sur Silicium

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Date de début : 3 septembre 2018

Offre n° IMEPLaHC-16052018-CMNE

                                                     

          Bourse de Thèse financée sur projet CDP – 2018-2021
Développement de Couches Minces de ZnO avec Dopage Contrôlé pour leur Intégration dans des Dispositifs Piézoélectriques sur Silicium

Sujet détaillé :
Les dispositifs piézoélectriques (PZ) connaissent un intérêt croissant en tant que micro-source d’énergie par la récupération d’énergie ambiante et que capteurs via l’effet PZ direct. En tant que matériau composé d’éléments abondants, peu cher et biocompatible, l’oxyde de zinc (ZnO) possède de nombreux atouts, comme de forts coefficients PZ pour un semiconducteur et une intégration compatible sur silicium. L’une des limites majeures du ZnO demeure toutefois son fort dopage résiduel de type n, qui mène à une densité importante de porteurs de charge écrantant le potentiel PZ généré sous sollicitations mécaniques. Les valeurs typiques de potentiel PZ généré sont ainsi de l’ordre de quelques dizaines de mV, ce qui diminue d’autant l’efficacité des dispositifs de micro-source d’énergie et la sensibilité des capteurs. L’un des enjeux majeurs vise donc à réduire significativement le dopage résiduel de type n dans le ZnO afin de limiter le plus possible la densité de porteurs libres.

Le travail de cette thèse consistera à développer sur silicium la croissance de couches minces de ZnO par dépôt chimique en phase vapeur et aux organo-métalliques et à maîtriser leurs propriétés structurales et électriques reliées au dopage. Ces propriétés seront étudiées par une grande variété de techniques de caractérisation structurale (microscopie électronique à balayage et en transmission, diffraction de rayons X, …) et électrique (microscopie à force atomique en modes sMIM/SMM, effet Hall en température, …). Une intégration de ces couches minces dans des dispositifs PZ sera effectuée afin de déterminer les performances obtenues en termes de potentiel de sortie et de coefficients PZ associées. Une corrélation avec des simulations théoriques intégrant les propriétés PZ et semiconductrices pourra être envisagée suivant une méthode par éléments finis. Une extension possible de ce travail concernera la fabrication de réseaux de nanofils de ZnO par dépôt chimique en phase vapeur et aux organo-métalliques afin de pouvoir procéder à une comparaison directe avec les couches minces fabriqués suivant le même procédé. L’ensemble des procédés employés et développés sera compatible avec une intégration sur silicium et visera à limiter autant que possible le budget thermique ainsi qu’à utiliser des précurseurs chimiques et recettes durables. Une des facettes du travail de thèse sera de prendre en compte le risque matériaux dans une approche pluridisciplinaire et globale incluant les Sciences Humaines et Sociales.

Lieu et durée :
Le candidat travaillera au sein du Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP, équipe Nanomatériaux et Hétérostructures Avancées (NanoMat)), de l’Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (IMEP-LAHC, équipe Composants Micro Nano Electroniques), et du Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM, équipe Nanomatériaux & Intégration), en collaboration avec le Laboratoire TIMA dans le cadre du projet CDP NEED. Une collaboration avec les laboratoires CERAG et PACTE sera également mise en place pour traiter les aspects interdisciplinaires liées aux Sciences Humaines et Sociales.

Durée de la thèse:
36 mois à partir de l’automne 2018

Profil & compétences requises :
Le candidat recherché est élève de grande école, d’école d’ingénieurs et/ou de Master 2R dont la formation est axée principalement sur la science et génie des matériaux, la physique des semiconducteurs et/ou la physique des composants. Des aptitudes pour le travail en équipe et l’expression en anglais orale et écrite seront appréciées. Nous recherchons des candidats dynamiques, motivés par le travail en laboratoire et ouverts à une approche pluridisciplinaire incluant les risques matériaux dans le cadre des Sciences Humaines et Sociales.
Financement de thèse acquis : Projet CDP NEED (2018 – 2021).

Contacts  :   
Gustavo ARDILA    ardilarg@minatec.grenoble-inp.fr                Tel : 04 56 52 95 32

Vincent CONSONNI    vincent.consonni@grenoble-inp.fr    Tel : 04 56 52 93 58

Bassem SALEM    bassem.salem@cea.fr                                 Tel : 04 38 78 24 55

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, FMNT, IMEP-LaHc
  • Laboratoire : FMNT / IMEP-LaHc
  • Code CEA : IMEPLaHC-16052018-CMNE
  • Contact : ardilarg@minatec.grenoble-inp.fr

Analyse, méthodologie de conception et validation expérimentale des amplificateurs distribués en technologie silicium avancée

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Date de début : 1 septembre 2018

Offre n° IMEPLaHC-17052018-RFM

                                                     PhD POSITION                                                                                                                                                                                                         Theory, design methodology and experimental validation
of distributed amplifiers in advanced silicon technologies

Laboratory: Research will be done at the RFIC-Lab (under creation)

Supervisor: Antonio Souza, Florence Podevin & Sylvain Bourdel

Phone: +33 4 56 52 95 67

E-mail: antonio.lisboa-de-souza@grenoble-inp.fr

Objectives:
Distributed amplifiers are of main concern in systems requiring very high gain-bandwidth products. At millimeter-wave frequencies, parasitic elements of lumped components become hard to model and control, while standard transmission lines are bulky and offer a limited flexibility in terms of characteristic impedances above 50 Ohm. To circumvent those restrictions, the PhD student will evaluate the use of a new kind of high impedance transmission line in distributed amplifiers, aiming to improve the amplifier´s gain-bandwidth product, matching and design flexibility. Taking into account aspects such as DC power, stability, Noise Figure and fabrication dispersion, the PhD student will propose an experimentally validated design methodology underlining the main tradeoffs that can be encountered in CMOS or BiCMOS technologies.

Context for millimeter-wave distributed amplifiers:
Mobile data transfer has exploded with the deployment of 4G and with the new needs created by this technology. According to Cisco´s Global Mobile Data Traffic Forecast Update 2016-2021, the annual Global IP traffic reached 1.2.1021 bytes in 2016, and will reach 3.3.1021 bytes in 2021. To address this demand, millimeter-wave systems (30-300 GHz) are required and so highly performing circuits at such frequencies. Especially, 5G working groups plan to aggregate a large number of physical channels to highly increase the effective data rate of mobile devices. When dealing with very high frequencies, distributed approach for active circuits is a well suited solution. Distributed systems allow the combination of a large number of channels, thus increasing the available bandwidth and hence the bit rate. This research area becomes a strategic field for the achievement of ultra-wideband communication systems. Traditionally, distributed circuits were dedicated to high cost wireline applications and designed using expensive technologies. The high performance of recent commercial CMOS/BiCMOS technologies now allows designing distributed circuits at low cost and could be a solution for the next generation of communication systems. In addition, specific techniques have been developed to reduce the size and increase the performance of passive circuits. Such techniques are very promising and surface efficient in modern CMOS/BiCMOS technologies. Moreover they also enable easy tuning capabilities of the passive circuits which are useful in the design of distributed circuits.

The research work consists in exploring the architecture of a transmission-line based distributed amplifier to be integrated into a standard CMOS/BiCMOS technology. A simplified illustration of a distributed amplifier is shown below. It is based on 2 propagation lines coupled by the transconductances of the transistors. The signal is amplified at each section of the input line and combined in the output line. Such structure can reach more than 100 GHz bandwidth in standard CMOS technologies.


Description of the Research Work:
The design of wideband distributed circuits requires the development of skills in the fields of passive circuits design (transmission lines, matching, electric and magnetic fields mapping, …) and also in active circuits design (PAs, oscillators, LNAs, …). This study will be based on the expertise developed in the laboratory in the field of active millimeter-wave circuits and innovative devices using slow-wave techniques. In this study, the input and output line of the amplifier will be designed considering different kinds of transmission lines.

A preliminary study has already been carried out and a first architecture has been recently proposed with an original design methodology, to be fabricated in July 2018. This approach is quite new and appears to be very promising in this research field that suffers from a lack of design/optimization methodologies. Quite unusual, the student will have the opportunity to characterize this circuit at the early beginning of his PhD thesis, what will strongly guide and help him in designing further circuits. Based on this preliminary study, the student will have to make a state of the art on the following topics: low-loss transmission lines, high frequency gain boosting methods for active cells, stability enhancement techniques, architectures and layout-oriented design for (distributed amplifier) compact circuits. The PhD student will then develop new types of distributed amplifier based on specific transmission lines (slow waves eventually), or by fully distributing the transconductances all along the transmission lines. The performance comparison will help to demonstrate the proposed ideas. During the PhD, the student will develop skills on:

–  passive circuits by using the tools and expertise available in the laboratory to design passives;
–  on active circuits linear and non-linear analysis; instrumentation and measurement, by using the laboratory infrastructure to characterize the circuits developed.

The work will be based on recent CMOS/BiCMOS technologies, such as the 55-nm BiCMOS technology of ST-Microelectronics, which is a quite innovative technology dedicated to millimeter waves applications.

Skills: Cadence, ADS, HFSS, Scilab or Matlab, Active and Passive RF circuits
This work will be performed in partnership with the Federal University of Paraiba (UFPB), Brazil, and some travels may be envisaged between University Grenoble-Alpes and UFPB.
Please send a CV and motivation letter (preferred before 5th of June) to: antonio.lisboa-de-souza@grenoble-inp.fr

                                                        

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, FMNT, IMEP-LaHc
  • Laboratoire : FMNT / IMEP-LaHc
  • Code CEA : IMEPLaHC-17052018-RFM
  • Contact : antonio.lisboa-de-souza@grenoble-inp.fr

Capteurs pseudo-MOSFET basés sur lecture de potentiel hors-équilibre

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Date de début : 1 octobre 2018

Offre n° IMEPLaHC-15052018-CMNE

Capteurs pseudo-MOSFET basés sur lecture de potentiel hors-équilibre
Date limite : 1 er JUIN 2018 ,  Début du contrat : 1er OCTOBRE 2018

Place:
IMEP – LAHC, MINATEC – INPG, 3, Parvis Louis Néel, 38016, Grenoble

Advisor:
Irina Ionica (Associate Professor Grenoble ING), Irina.Ionica@phelma.grenoble-inp.fr +33 (0) 4 56 52 95 23

Context and objectives:
In the context of microelectronics, the importance of semiconductor on insulator (SOI) substrates has been extensively proven, not only to produces high performance circuits, but also for embedded systems-on-chip solutions, including sensors. The classical electrical characterization method of SOI
substrates uses the pseudo-MOSFET configuration, in which the current flow between two probes placed on the top silicon film is controlled by the voltage applied on the bulk substrate, which serves as a backgate.
Similar to an ISFET, the threshold voltage of the pseudo-MOSFET shifts in presence of top surface charges1. Furthermore, we recently proved that the out-of-equilibrium potential in the top silicon film is an original way to detect the presence of such surface charges2. This new reading paradigm needs to be benchmarked with respect to the classical conductance variations in ISFETs and optimized to maximize performance in terms of linearity, sensitivity, noise and consumption; this is the aim of this multidisciplinary thesis.

Research to be performed:
In order to reach a pragmatic sensor, starting from our previous proof-of-concept studies some additional steps are needed:
· replacing the probes by deposited metal or doped contacts,
· validating that the physical mechanisms responsible for the out-of-equilibrium potential with deposited contacts are similar with those measured with probes,
· finding the appropriate dynamic conditions of potential reading,
· benchmarking of potential-based vs. current-based reading in the devices,
· exploiting the sensor for realistic bio-chemical detection (liquid environment, reading electronic system …).
The PhD student will develop the complete chain, from device fabrication, electrical measurements in equilibrium and out-of-equilibrium conditions, surface functionalization for specific detection applications (collaboration with Néel Institute)…
The experimental characterization part will be completed by segments of modeling and simulation, allowing the comprehension of physical phenomena
involved and the optimization for the sensor.

Knowledge and skills required:
This PhD topic belongs mainly to the field of micro-nano-electronics, and more precisely to the electrical characterization and modeling of SOI substrates. The candidate must have a solid knowledge of physics of semiconductors and devices. Electronics of the measurement systems, surface functionalization would
be appreciated.
The candidate is expected to enjoy experimental work and the development of adapted measurement protocols. Scientific curiosity, motivation, creativity are mandatory qualities in order to take full advantage of the scientific environment of this thesis and to gain excellent expertise for his/her future career.
The topic is in the field of applied physics, but close to the fundamental physics, as well as to the industrial world. After the PhD, the candidate will easily adapt to both academic and industrial research environments.
The candidate must have a very good academic record, with high grades.
______________________________________________________________________________________________________________
1 I. Ionica et.al., Proceedings of IEEE Nano(Portland, USA) 2011, pp 38-43
2 L. Benea et.al., Solid-State Electronics, vol. 143, pp. 69-76, 2018

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, FMNT, IMEP-LaHc
  • Laboratoire : FMNT / IMEP-LaHc
  • Code CEA : IMEPLaHC-15052018-CMNE
  • Contact : Irina.Ionica@phelma.grenoble-inp.fr

Etude de propriétés piézoélectriques de nanocomposites à base de ZnO et application à la récupération d’énergie pour capteurs autonomes

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Date de début : 28 mai 2018

Offre n° IMEPLaHC-17042018-CMNE

Etude de propriétés piézoélectriques de nanocomposites à base de ZnO et
application à la récupération d’énergie pour capteurs autonomes

IMEP-LaHC / MINATEC / Grenoble – France
DATE LIMITE POUR L’APPLICATION: 28 MAI 2018

Mots clefs :
Nanotechnologies, Nano fils, Piézoélectricité, AFM, Physique du semi-conducteur et technologie.

Description du projet :
Les nanofils (NF) piézoélectriques semi-conducteurs (GaN et ZnO entre autres) présentent des propriétés piézoélectriques améliorées par rapport aux couches minces et au matériau massif, du fait de leur plus grande flexibilité, de leur sensibilité à des forces plus faibles et, également, à une amélioration intrinsèque des coefficients piézoélectriques qui a été identifiée par de récentes études théoriques et expérimentales [1, 2].
L’intégration de ces nanostructures dans de nanocomposites (formés de NFs englobés dans une matrice diélectrique) est intéressante pour différentes applications, principalement capteurs et récupération d’énergie mécanique [3, 4]. Des études théoriques très récentes dans notre équipe montrent que ces nanocomposites peuvent présenter des performances améliorées par rapport aux couches minces [5, 6].
Toutefois le développement de ces applications est actuellement entravé par une compréhension encore incomplète des effets de couplage entre les contraintes internes (aspect mécanique), la polarisation du matériau (aspect piézoélectrique), le dopage et la modulation de la charge de porteurs libres (aspect semi-conducteur). A l’échelle nanométrique, les effets non-linéaires peuvent également devenir importants.

Du point de vue fondamental, la thèse aura comme objectif d’approfondir la compréhension des phénomènes électromécaniques à l’échelle nanométrique en tenant compte des effets d’écrantage par les dopants ionisés, les porteurs libres et les pièges d’interface.
D’autres effets seront aussi étudiés : les non-linéarités mécaniques et électromécaniques, notamment les ordres supérieurs de l’effet piézoélectrique, ainsi que l’effet flexoélectrique, qui jouent vraisemblablement un rôle très important dans la réponse piézoélectrique des nanostructures. On s’intéressera aux propriétés des nanofils en tant que tels, mais aussi lorsqu’ils sont immergés dans la matrice diélectrique sous forme de nanocomposite.
Pour cela plusieurs paramètres seront étudiés, notamment le dopage et la dimension des nanofils. L’étudiant aura à sa disposition tous les moyens expérimentaux du laboratoire, ainsi qu’un accès à la plateforme technologique PTA pour la préparation de structures de test spécifiques (métallisation de contacts, connexions, membranes souples pour déflection, etc.). Les nanofils seront développés à l’IMEP-LaHC ou seront accessibles via différentes collaborations (LMGP, INL, Institute Néel…).

Le doctorant contribuera au développement des techniques de caractérisation. Le laboratoire IMEP-LaHC a été précurseur en développant dès 2008 des méthodes de caractérisation qualitatives du phénomène piézoélectrique sur des NF individuels de GaN, par la mesure du potentiel générée quand une force contrôlée est appliquée sur le NF à l’aide d’une pointe AFM [1]. Ces techniques ont été récemment modifiées pour réaliser des mesures en courant sous force contrôlée [7]. Elles seront approfondies dans le cadre de cette thèse et corrélées à des mesures plus standards (PFM, KFM) ou par Scanning Microwave Microscopy.[8] Toutes ces techniques ont l’avantage de pouvoir se réaliser sur le même NF, et donc d’être corrélables entre elles.
Parallèlement, grâce à une collaboration en cours, l’étudiant aura accès à des moyens de caractérisation in-operando inédits, mis en place par l’IM2NP à l’ESRF, pour combiner mesure de déformation par diffraction de rayons X, mesure du courant et mesure du potentiel de surface sous contrainte mécanique, grâce à un AFM placé sur une des lignes de l’ESRF. En s’appuyant sur l’expertise développée dans l’équipe, il effectuera des simulations multi-physiques (modèles analytiques, éléments finis) qui serviront de support pour interpréter les résultats expérimentaux.
La compréhension acquise devrait permettre à l’étudiant d’atteindre le second objectif, de valorisation, avec l’identification des pistes d’optimisation et la réalisation de démonstrateurs de recherche, basés sur des expériences récentes développées à l’IMEP-LaHC [9, 10], qui lui permettront de valider l’intérêt du concept pour la récupération d’énergie mécanique. Le développement de ces démonstrateurs et leur optimisation s’inscrit dans le cadre d’un projet européen Convergence (H2020/FlagERA 2017-2020).
Références :
[1] X. Xu, A. Potié, R. Songmuang, J.W. Lee, T. Baron, B. Salem and L. Montès, Nanotechnology 22 (2011)
[2] H. D. Espinosa, R. A. Bernal, M. Minary‐Jolandan, Adv. Mater. 24 (2012)
[3] S. Lee, R. Hinchet, Y. Lee, Y. Yang, Z. H. Lin, G. Ardila, et al., Adv. Func. Mater. 24 (2014)
[4] R. Hinchet, S. Lee, G. Ardila, L. Montès, M. Mouis, Z. L. Wang Adv. Funct. Mater. 24 (2014)
[5] R. Tao, G. Ardila, L. Montès, M. Mouis Nano Energy 14 (2015)
[6] R. Tao, M. Mouis, G. Ardila, Adv. Elec. Mat. 4 (2018)
[7] Y. S. Zhou, R. Hinchet, Y. Yang, G. Ardila, L.Montès, M. Mouis, Z. L. Wang, Adv. Mat. 25 (2013)
[8] K. Torigoe, M. Arita and T. Motooka, J. Appl. Phys. 112, 104325 (2012)
[9] S. Kannan, M. Parmar, R. Tao, G. Ardila, M. Mouis, J. of Physics: Conf. Ser. 773 (2016)
[10] R. Tao, G. Ardila, M. Parmar, L. Michaud, M. Mouis, Proc. of IEEE Eurosoi/ULIS (2017)

Compétences requises:
Il est souhaitable que le candidat possède des connaissances dans un ou plusieurs de ces domaines : physique du semi-conducteur, simulation par éléments finis, AFM (Atomic Force Microscopy), techniques de salle blanche et caractérisations associées (SEM, etc.). Les notes et le classement en licence et surtout master sont un critère de sélection très important pour l’école doctorale.
Lieu : IMEP-LAHC / Minatec / Grenoble
Ecole doctorale : EEATS (Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal), spécialité NENT (Nano Electronique Nano Technologies).

Encadrants :
Mireille MOUIS (Directrice de thèse) (mouis@minatec.grenble-inp.fr)
Gustavo ARDILA (co-encadrant) (ardilarg@minatec.grenoble-inp.fr)

Laboratoire de recherche:
IMEP-LAHC / MINATEC / Grenoble
L’IMEP-LAHC est localisé dans le centre d’innovation de Minatec. Il collabore avec plusieurs grands industriels (ST-Microelectronics, SOITEC, etc.), centres microélectroniques préindustriels (LETI, LITEN, IMEC, Tyndall) et PMEs (CEDRAT, etc.). Le/La doctorant(te) travaillera au sein du groupe Composant MicroNanoElectronique / Nanostructures & Nanosystèmes Intégrés et aura accès aux plateformes technologiques (salle blanche) et de caractérisation du laboratoire.

Contacts:
Gustavo ARDILA ardilarg@minatec.grenoble-inp.fr 04.56.52.95.32

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, FMNT, IMEP-LaHc
  • Laboratoire : FMNT / IMEP-LaHc
  • Code CEA : IMEPLaHC-17042018-CMNE
  • Contact : ardilarg@minatec.grenoble-inp.fr

Impression robotique 3D de circuits plastroniques pour des applications Internet des Objets

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Date de début : 3 septembre 2018

Offre n° IMEPLaHC-11042018-RFM

 

                                                                                            

                        

 

Dans le cadre de la Chaire Industrielle d’Excellence MINT*, la thèse s’appuiera sur une technologie d’impression d’encres fonctionnelles sur des objets tridimensionnels au moyen d’un système robotique. Grâce à ce mode de fabrication additive, des circuits électroniques sont constitués directement en 3D au sein de pièces et boitiers plastiques (sans utilisation de PCB). Ils sont parfaitement intégrés à la partie mécanique de l’objet support. L’essor important du nombre d’objets connectés et plus particulièrement ceux liés à L’IoT-Industriel requiert aujourd’hui de nouvelles techniques d’intégration mécatronique, comme la plastronique.

Ce travail de thèse repose sur l’étude des procédés de dépôt d’encres fonctionnelles sur objet 3D, notamment en les couplant à la plateforme robotique existante. La 1ère étape consistera à mettre au point l’impression de pâtes conductrices et d’encres fonctionnelles ainsi que les moyens de recuit de ces encres sur des substrats thermoplastiques de forme 3D. L’étude portera ensuite sur la conception et la réalisation de composants et architectures électroniques tirant partie du potentiel de dépôt multi-matériaux et de la géométrie tridimensionnelle du support. Les pistes et composants seront imprimés et caractérisés dans une optique de performance, de fiabilité et de longévité, d’abord en 2D au sein des laboratoires LGP2 et IMEP-LAHC puis en 3D sur la plateforme robotique S.mart DS. Le candidat poursuivra ensuite l’exploration des possibilités ouvertes par cette voie 3D en termes de conception électronique et d’architecture de systèmes pour des applicatifs IoT-Industriel.
Le sujet étant hautement pluridisciplinaire, le candidat pourra s’appuyer sur les compétences regroupées au sein de la Chaire MINT :
­    LGP2 : laboratoire spécialiste de l’électronique imprimée sur substrats flexibles et rigides et plus généralement sur la fonctionnalisation de surface
­    IMEP-LAHC : laboratoire spécialiste de la conception et caractérisation de dispositifs électroniques avancés
­    S.mart DS : plateforme technologique, spécialiste du génie industriel et de la productique
­    Schneider Electric : entreprise spécialiste mondial du management de l’énergie

De formation généraliste, le candidat mettra à profit ses connaissances à la fois en physique des matériaux (rhéologie, physicochimie), en mécatronique et électronique (composants passifs, capteurs, antennes), mais également en mécanique et robotique (contrôle dimensionnel, suivi de trajectoires). Il devra faire preuve d’une grande curiosité du fait de l’aspect pluridisciplinaire du travail proposé.
Autonome et force de proposition, il devra avoir un goût prononcé pour le travail expérimental ainsi qu’une capacité d’adaptation aux environnements des laboratoires et de la plateforme. Ses aptitudes relationnelles et humaines lui permettront d’évoluer sereinement au sein des différentes équipes impliquées dans la Chaire MINT. Le candidat devra également faire preuve de qualités rédactionnelles pour la rédaction de rapports scientifiques. Il aura aussi à synthétiser oralement l’avancée de ses travaux lors des réunions de travail et conseils scientifiques devant l’ensemble des partenaires.
De par l’ambition du sujet proposé, le doctorant sera amené à présenter en Anglais ses travaux dans les grands congrès internationaux et à publier dans des revues majeures des domaines abordés.

Rémunération : 2200 € brut /mois

Contact :
Mme N. Reverdy-Bruas (Grenoble INP): nadege.reverdy-bruas@pagora.grenoble-inp.fr
*http://fondation-grenoble-inp.fr/nos-actions/contribuer-developpement-recherche/chaire-mint/

  • Mots clés : Sciences pour l'ingénieur, Electronique et microélectronique - Optoélectronique, FMNT, IMEP-LaHc
  • Laboratoire : FMNT / IMEP-LaHc
  • Code CEA : IMEPLaHC-11042018-RFM
  • Contact : nadege.reverdy-bruas@pagora.grenoble-inp.fr
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