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03 avril 2017
Club EEA : un congrès grenoblois tourné vers l’Europe
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Les 8 et 9 juin, c’est à Phelma MINATEC que le 57e congrès annuel du club EEA rassemblera la communauté des enseignants et des chercheurs en électronique, électrotechnique, automatique et signal/image. L’événement aura pour thème « Les projets européens en recherche et en enseignement ». Conférences et tables rondes permettront aux participants d’aborder les nouvelles […] >>
03 avril 2017
Une chaire d’excellence sur les phases MAX
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Michel Barsoum, de l’université de Drexel à Philadelphie, vient de se voir attribuer une chaire de la fondation Nanosciences de l’UGA pour poursuivre son projet de recherche sur les phases MAX. L’objectif ? Fabriquer des dispositifs bidimensionnels à partir d’une nouvelle famille de composés, les MXènes. Obtenus par exfoliation de matériaux nanolamellaires (les phases MAX), […] >>
03 avril 2017
Le CEA en tête des organismes publics de recherche les plus innovants
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Publié le 1er mars par Reuters/Clarivate, le classement « Top 25 Global Innovators – Government » place le CEA en tête des organismes publics de recherche innovants. En première place pour le classement Europe, le CEA devance ainsi les instituts allemands Fraunhofer et Max-Planck. Au niveau mondial, le CEA arrive en deuxième place, derrière le […] >>
03 avril 2017
La plateforme d’instrumentation nucléaire du LPSC métamorphosée
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D’importants travaux réalisés il y a quelques mois ont transformé la plateforme d’instrumentation nucléaire du laboratoire de physique subatomique et de cosmologie (LPSC), que Grenoble INP copilote avec l’UGA. Grâce à une extension de 240 m2, la surface de la plateforme a été considérablement agrandie. Ce chantier d’envergure a également permis un nouvel agencement des […] >>
03 avril 2017
Électronique de puissance : EXAGAN accélère sa mise en production
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C’est dans sa propre salle blanche qu’Exagan vient de lancer la production de son matériau, étape clé pour le lancement de ses premiers (composants de puissance). La fabrication du matériau GaN sur silicium est réalisée sur une machine d’épitaxie Aixtron 200 mm grâce au procédé G-Stack™, mis au point par Exagan avec le support du […] >>


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