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05 octobre 2015
Nanosonde Auger : une analyse élémentaire quantitative à l’échelle nanométrique
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Mener avec une sonde Auger l’analyse élémentaire quantitative d’un nanofil hétérostructuré de silicium-germanium … Une équipe CEA-Leti– CNRS/LTM /LPN l’a fait, grâce à la mise au point de nouveaux protocoles d’analyse spectroscopique et de profilométrie. Ils ont été validés par recoupement avec les résultats issus de caractérisations préalables par diffraction X et microscopie en transmission. […] >>
05 octobre 2015
Déformer le germanium pour émettre davantage de lumière
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Comment déformer le plus possible du germanium pour doper sa capacité à émettre de la lumière et lui ouvrir des applications en émission laser ? C’est le sujet de recherche d’une équipe INAC-Leti qui explore tour à tour différents procédés. Le dernier publié porte sur l’utilisation d’une couche de nitrure de silicium contrainte pour déformer […] >>
05 octobre 2015
Les antennes de goniométrie se surveillent toutes seules
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Comment savoir si les antennes de goniométrie, une fois installées sur un drone ou tout autre véhicule, restent aussi fiables qu’à l’étalonnage en sortie d’usine ? Réponse : en les dotant d’un système embarqué d’autodiagnostic. Développé au CEA-Leti dans le cadre d’une thèse, il est basé sur un réseau de photodiodes qui sondent l’environnement proche. […] >>
05 octobre 2015
La jonction tunnel magnétique livre ses secrets
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On sait de longue date que le courant dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) dépend largement des états de spin aux interfaces entre couches ferromagnétiques et isolantes. Or, certains de ces états favorisent le passage du courant, d’autres beaucoup moins. Phénomène dont une équipe internationale comprenant des chercheurs INAC vient d’affiner la compréhension. Elle a […] >>
05 octobre 2015
Le silicium poreux métallisé en douceur
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Plus besoin de procédé physique ou de CVD pour métalliser du silicium poreux. Une équipe CEA/Plateforme Nanochimie (CPE Lyon) réalise l’opération en conditions douces, avec un procédé plus efficace et moins coûteux que les solutions actuelles. La métallisation s’effectue entre 50 °C et 100 °C, par immersion du silicium poreux dans un liquide ionique contenant […] >>


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