Actualités : Recherche

02 février 2016

Photolithographie : le logiciel d’Aselta progresse toujours

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Le logiciel Inscale de la start-up Aselta a été validé afin de devenir d’ici la mi-2016 l’outil de référence pour toute la préparation des données (« fracturation ») des masques de photolithographie du CEA-Leti. Inscale, optimisé dans le cadre du laboratoire commun avec le Leti, obtient en effet des résultats similaires à ceux de l’outil […] >>

02 février 2016

Le Challenge First Step soutient 4 projets innovants

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Le Jury du Challenge First Step a accordé des bourses à 4 des 6 projets présentés fin 2015. Le projet WIMAGINE (Leti Clinatec) porte sur une plateforme de monitoring long terme de l’activité cérébrale (épileptiques, traumatisés crâniens…). Sensing The World (Leti DSIS) propose un service de suivi des déformations de structures de génie civil (pont, […] >>

02 février 2016

MIT et Leti, une collaboration qui prospère

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Le CEA-Leti avait livré ses premiers micro-résonateurs suspendus au MIT en 2014. Il a récidivé courant 2015 avec une nouvelle génération de composants. Toujours précis au femtogramme, ils sont dotés cette fois d’un réseau de capteurs pour accroître la cadence d’analyse et permettre une redondance de mesure. Aux Etats-Unis, ils sont utilisés en centre hospitalier […] >>

02 février 2016

19,1 mW de consommation pour un encodeur vidéo !

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La conception low power a de beaux jours devant elle au vu des résultats obtenus par des chercheurs CEA-Leti avec une équipe vietnamienne de VNU*. L’encodeur vidéo H.264 qu’ils ont conçu affiche en effet une consommation estimée totale de 19,1 mW, quand les produits du marché se situent entre 30 et 600 mW. Le projet […] >>

02 février 2016

Double puits quantique sur un transistor nanofil PMOS

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C’est un beau résultat pour le partenariat STMicroelectronics – IBM – CEA-Leti sur les transistors CMOS avancés. Deux puits quantiques de silicium-germanium (SiGe), séparés par une fine couche de silicium, ont été réalisés sur un transistor PMOS de seulement 15 nm de longueur de grille. La cohabitation entre le SiGe et le silicium induit une […] >>
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