Actualités : Recherche

02 juin 2014

A lire : Beyond CMOS Nanodevices

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Dans la foulée du projet européen Nanofunction sur les nanodispositifs Beyond CMOS, Francis Balestra (IMEP-LAHC), coordinateur du Réseau d’Excellence, vient de superviser l’édition de Beyond CMOS Nanodevices (ISTE-Wiley). Cet ouvrage collectif dresse un panorama complet sur l’état de l’art du sujet et les applications-phares envisagées ces dix prochaines années. Un premier volume traite des nanodispositifs […] >>

02 juin 2014

Six capteurs de mouvement sur 4 mm2 de silicium

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Tronics a présenté récemment un concept de MEMS révolutionnaire inventé par le Leti. Il permet de concentrer sur 4 mm2 de silicium pas moins de 3 accéléromètres et 3 gyromètres. Sans équivalent au monde, ce dispositif ultra-compact vise le marché du téléphone portable, pour le jeu et pour le passage du mode portrait au mode […] >>

02 juin 2014

Nouveau gain de précision dans la mesure des déformations nanométriques

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La Plateforme de nanocaractérisation (PFNC) vient de signer une première mondiale en mesurant des déformations de transistors SOI avec une résolution spatiale inférieure à 2 nm. Clé de ce succès : l’ajout de la diffraction électronique par précession sur le microscope électronique en transmission Titan. Un jeu de lentilles fait tourner le faisceau et permet […] >>

02 juin 2014

L’internet des objets s’offre une ARM de construction

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L’internet des objets a fait un grand pas en avant avec le projet européen IoT-A, achevé fin 2013, auquel participaient le Leti et le List. Le projet a donné naissance à ARM (Architecture Reference Model), méthodologie qui permet d’architecturer n’importe quel ensemble d’objets hétérogènes connectés via internet et interagissant avec leur environnement. ARM traite notamment […] >>

02 juin 2014

Le couplage spin-orbite, du sang neuf pour les mémoires MRAM

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Spintec a fabriqué ces derniers mois la première génération de cellules mémoires MRAM d’un nouveau genre, susceptibles de dépasser les limitations actuelles de ces composants. Elles utilisent le couplage spin-orbite (SOT) pour découpler les chemins suivis par le courant lors des phases d’écriture et de lecture. La jonction tunnel magnétique n’est plus soumise à de […] >>
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