Actualités : Recherche
07 juin 2017
Localisation par contrainte d’émetteurs quantiques
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De nouveaux composants optoélectroniques, comme les sources de photons uniques, exploitent des boîtes quantiques semi-conductrices intégrées dans une structure photonique. Ces émetteurs sont généralement distribués de manière aléatoire dans un plan au sein de la structure. Or, il est important de connaître leur position pour comprendre et optimiser les performances des composants. Une technique de […] >>
07 juin 2017
P-SCAN traque les vulnérabilités des systèmes industriels
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Dans le cadre d’un partenariat avec Bureau Veritas, le Leti développe un banc de test capable de vérifier la sécurité des objets connectés utilisés dans des secteurs variés de l’industrie, la santé, le transport et plus généralement de l’Internet des Objets. Ainsi, P-SCAN est le premier outil automatisé au monde permettant de détecter les vulnérabilités […] >>
07 juin 2017
Electronique de puissance : un premier démonstrateur de transistor GaN 600V/100 A
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Les composants de puissance ont leur transistor ! Une équipe du Leti vient de réaliser un premier démonstrateur de type MIS-HEMT* 600 V/100 A normalement bloqué (N-off), dont les performances sont compatibles avec l’électronique de puissance, pour un coût raisonnable et fonctionnant à 200 °C. Sa tenue à des tensions allant jusqu’à 600 V a été […] >>
07 juin 2017
Germanium : bientôt des transistors de spin !
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Un pas important vers la réalisation d’un transistor reposant sur le « couplage spin-orbite » a été franchi par une équipe d’INAC, en collaboration avec le CNRS de Palaiseau et le centre de recherche allemand de Jülich. Le couplage spin-orbite est un effet relativiste reliant le spin d’un électron à son mouvement. Des mémoires MRAM (Magnetoresistive RAM) […] >>
03 avril 2017
Bientôt des fils électriques nanométriques
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Les fils électriques de taille moléculaire sont presque une réalité ! Une équipe de l’institut Charles-Sadron (CNRS, Strasbourg) est parvenue à envelopper des fibres de poly(3-butylthiophène) (P3BT), un polymère semi-conducteur, de nanotubes isolants par auto assemblage de molécules complexes d’ester en voie liquide, via un processus de germination hétérogène. Les chercheurs d’INAC ont, quant à […] >>


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