Grâce au faisceau de gallium, le ToF-SIMS préserve les matériaux

Catégorie(s) : Actualités, MINATEC, Recherche

Publié le : 8 décembre 2015

Grâce à un faisceau focalisé de gallium (FIB) in situ implémenté dans le spectromètre ToF-SIMS du CEA-Leti, sur la PFNC, il devient possible de caractériser des matériaux sensibles à l’air ou très hétérogènes. Des travaux ont été menés sur des électrodes pour batteries lithium-ion. En protégeant le lithium du risque d’oxydation, cette approche a permis de révéler la structure cœur-coquille des particules du matériau actif dans toute l’épaisseur de l’électrode (plusieurs dizaines de microns).

Sur des vias traversantes (TSV), de composition très hétérogène, l’approche FIB ToF-SIMS rend possible l’obtention des volumes 3-D reconstruits à partir de coupes et images successives, tout en préservant la forme de la structure analysée, même en l’absence de matière. L’analyse est menée jusqu’à 100 microns de profondeur.

Contact : jean-paul.barnes@cea.fr