Du tungstène pour muscler les STT-RAM

Catégorie(s) : Actualités, Industrie, Recherche

Publié le : 5 février 2018

Une équipe INAC a réussi à améliorer fortement les propriétés d’une jonction tunnel magnétique (JTM) en insérant dans son électrode supérieure une couche de tungstène de 0,2 à 0,3 nm d’épaisseur. Le tungstène, matériau réfractaire, remplace avantageusement le tantale utilisé jusqu’ici. Il garantit une parfaite stabilité thermique de l’empilement lors de recuits jusqu’à 570 °C. Ceci améliore la cristallinité de la jonction, sa magnétorésistance tunnel (d’environ 30%) et son anisotropie magnétique, donc la rétention de la mémoire.
Ces JTM, il faut le rappeler, constituent la base des mémoires STT-RAM. Celles-ci vont donc bénéficier directement de cette avancée. En particulier, elles peuvent désormais viser les applications automobiles, qui exigent un fonctionnement jusqu’à 150 °C.

 

Contact : bernard.dieny@cea.fr

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