Actualités : Leti
28 mai 2024
Simulation, fabrication et caractérisation de transducteurs piézoélectriques transparents à base de nanofils de ZnO
Simulation, fabrication et caractérisation de transducteurs piézoélectriques transparents à base de nanofils de ZnO Sujet détaillé : Les dispositifs piézoélectriques suscitent un intérêt croissant en tant que micro-source d’énergie en récoltant l’énergie mécanique ambiante, et en tant que capteurs via l’effet piézoélectrique direct. Dans ce contexte, les matériaux semi-conducteurs sous forme de nanofils […] >>
01 janvier 2023
Développement d’algorithmes d’intelligence artificielle pour la localisation bande étroite
Les signaux bande étroite sont largement utilisés dans le contexte des réseaux de télécommunication faible consommation, qui sont l’un des composants clé de l’internet des objets (IoT). Cependant, ces signaux ne disposant que d’une bande de fréquence limitée, ils sont peu adaptés à de la localisation de précision, en particulier dans des environnements complexes tels […] >>
01 janvier 2023
Développement de matériaux antiférroélectriques par ALD pour des capacitances MAFM
Ce projet ambitionne de développer et d’intégrer de très fines couches d’oxydes fonctionnels pour une nouvelle classe de capacités AF (antiferroélectriques) à très forte densité (>20 J.cm-3). Le sujet sera focalisé plus particulièrement sur les couches AFE ultraminces et conformes à base d’HfO2 et/ou de ZrO2 réalisées par ALD (Atomic Layer Deposition). Les propriétés AF […] >>
01 janvier 2023
Biocatalyse par microfluidique
L’objectif global du projet est de proposer un nouveau mode de production biocatalytique basé en flux continu et combinant macro et micro-fluidique. Il s’agit de développer un procédé de biocatalyse impliquant des bioréacteurs fluidiques capables d’assurer une biotransformation en mode continu, grâce à des enzymes ou des cellules immobilisées. Ce procédé sera optimisé pour d’une […] >>
01 janvier 2023
Electronique Cryo-CMOS : effets thermiques et des contraintes dans les transistors MOSFET FDSOI jusqu’à très basse température
Dans le cadre du développement de la cryo-électronique, i.e. l’extension du domaine d’opération de l’électronique digitale ou analogique à des températures cryogéniques jusqu’à quelques dizaines de mK, en particuliers pour les applications quantiques, le but du projet post-doctoral est de poursuivre l’effort de modélisation et de caractérisation de la technologie FDSOI à basse température (4K […] >>