Synthèse de nanofils

Catégorie(s) : Actualités, Evenements, Industrie, Recherche

Publié le : 7 janvier 2010

La découverte, révolutionnaire, a fait l’objet d’un article dans Nature Technology : des chercheurs du Léti sont parvenus à synthétiser des nanofils de silicium par procédé CVD à la température de 400 °C, compatible avec la technologie CMOS. Il faut savoir que les températures de synthèse habituelles (500 °C et plus), en interdisant toute fabrication compatible CMOS, bridaient jusqu’ici le développement de ces nanofils.

Le déclic est venu – comme souvent pour les ruptures technologiques – de la remise en cause d’un axiome solidement établi : en l’occurrence, l’idée selon laquelle les métaux oxydés n’étaient pas adaptés à la croissance des nanofils. L’équipe du Léti a pris le contre-pied en utilisant le cuivre oxydé, compatible avec la technologie CMOS. Son activité chimique était si puissante qu’elle a permis de réduire les températures de synthèse des nanofils aux valeurs souhaitées…
Tous les obstacles ne sont pas résolus, mais une première étape vers l’utilisation par les industriels a été franchie. Il est désormais possible de rêver à une diffusion élargie des nanofils, donc à l’ajout de nouvelles fonctionnalités aux circuits intégrés traditionnels : détection haute sensibilité des substances chimiques ou biologiques, détection mécanique de masse, production interne d’énergie au sein des puces, etc.
Ces applications ont déjà été démontrées par la recherche fondamentale. Après ce « feu vert » technique, les équipes de développement devraient rapidement s’en emparer.

Contact : vincent.jousseaume@cea.fr

 

En naviguant sur notre site, vous acceptez que des cookies soient utilisés pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d’intérêts. En savoir plus
X