38 résultats trouvés

[Thèse]

Système de calcul résistant aux fortes doses cumulées de rayonnement ionisant réalisé en technologie CMOS avancée

Offre N° : SL-DRT-16-0724

Date de début : 1 Oct 2016

Les dispositifs électroniques du commerce ne survivent, en général, que très peu de temps lorsqu'on les soumet à des radiations ionisantes. C'est pourquoi on utilise des systèmes électroniques dits « durcis », i.e. conçus pour résister à ce type d'agressions. Il existe actuellement une gamme de composants durcis pour le domaine spatial dans laquelle on peut trouver des microprocesseurs ou des FPGAs.



[Thèse]

Simulation des mécanismes de programmation des mémoires à changement de phase avec la méthode multi-champ de phase

Offre N° : SL-DRT-16-0999

Date de début : 1 Oct 2016

Récemment, STMicroelectronics a décidé d'implémenter la technologie PCM (Phase Change Memories) en 28nm pour des mémoires embarquées destinées entre autres aux microcontrôleurs pour l'automobile. Ces mémoires sont basées sur la variation de résistance d'un petit volume de matériau à changement de phase, l'information binaire étant codée à travers la phase amorphe ou cristalline du matériau à changement de phase.



[Thèse]

Gravure plasma du CdxHg(1-x)Te : étude de précurseurs non conventionnel pour application aux détecteurs infrarouges hautes performances de très faible pas.

Offre N° : SL-DRT-16-0706

Date de début : 1 Oct 2016

L'Institut des Matériaux Jean Rouxel (IMN) et le Département Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA/Leti sont partenaires depuis 2006 dans des programmes de recherche sur la gravure de matériaux CdxHg(1-x)Te en plasma dense à base de CH4-H2, pour les technologies des détecteurs infra-rouge refroidis.



[Thèse]

Switch intégrés de Bursts Optiques

Offre N° : SL-DRT-16-0707

Date de début : 1 Oct 2016

La montée en débit dans les échanges de données entre processeurs et mémoires, ainsi que les fortes contraintes sur les temps de latences tolérés dans ces transmissions semble imposer l'utilisation de liens point à point optiques très haut débit (50-100Gbps) dits intra ou inter-chip. Seulement, ces liens sont souvent sous utilisés (10-15% du temps) et leur architecture point à point impose l'utilisation de nombreux transceivers.



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