Offres de thèses, stages et postdocs

150 résultats trouvés

[Thèse]

Contribution à la compréhension et à la réduction des effets de “current collapse” dans les structures HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si pour des applications puissances

Offre N° : SL-DRT-15-0572

Date de début : 1 Oct 2015

Pour faire face à la demande croissante de l'électronique de puissance et des domaines RF, ainsi que pour accroître la performance des dispositifs associés, le CEA-LETI développe une ligne pilote allant du développement des substrats GaN épitaxié sur silicium jusqu'au système embarquant des composants innovants tels que des transistors HEMTs ou diode Schottky.



[Thèse]

Conception d'antennes miniatures super directives à dépointage de faisceau

Offre N° : SL-DRT-15-0550

Date de début : 1 Oct 2015

En focalisant le diagramme de rayonnement dans les directions utiles, les antennes directives ouvrent de nouvelles opportunités pour les applications sans-fil en termes d'efficacité spectrale, de déploiement radio sans interférences, réduction de l'impact environnemental, réduction de l'exposition aux champs électromagnétiques et modes d'utilisation.



[Thèse]

Templates de matériaux nitrures semi-polaires pour l'émission visible à courte longueur d'onde

Offre N° : SL-DRT-15-0538

Date de début : 1 Sep 2015

Les matériaux semiconducteurs nitrures d'éléments III sont utilisés pour la réalisation de diodes bleues au coeur des lampes à LEDs. L'utilisation de ces matériaux pour les plus grandes longueurs d'onde(verte-rouge)est cependant limitée, en raison de l'existence d'un champ électrique interne piezoélectrique qui sépare spatialement les électrons et trous dans les zones actives(puits quantiques)de la diode, réduisant l'efficacité radiative.



[Thèse]

Etude des préparations de surface des matériaux III-V et Ge en vue de leur intégration dans les transistors CMOS sub 7 nm

Offre N° : SL-DRT-15-1002

Date de début : 1 Sep 2015

Si la réduction continue des dimensions des circuits intégrés selon la loi de Moore a longtemps suffi à l'amélioration des performances du transistor CMOS, cette voie se heurte à d'immenses challenges pour les nœuds sub 10 nm. Des technologies alternatives sont donc nécessaires pour poursuivre l'amélioration des technologies CMOS.



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