Offres de thèses, stages et postdocs

169 résultats trouvés

[Thèse]

Optimisation de structures InGaN/GaN et fabrication de diodes électroluminescentes avec émission blanche monolithique.

Offre N° : SL-DRT-14-0668

Date de début : 1 Oct 2014

Actuellement, la plupart des diodes électroluminescentes (DELs) sont fabriquées à base de matériaux nitrures. Les zones actives sont constituées de puits quantiques InGaN insérés dans des barrières GaN. Les puits quantiques en InGaN ont une composition en indium permettant d'avoir un bon confinement des électrons et des trous à température ambiante et d'obtenir une émission dans le bleu vers 450 nm efficace pour des densités de courant raisonnables de l'ordre de 35 A/cm2.



[Thèse]

Traitement chimique de surface des nanofils sémi-conducteurs

Offre N° : SL-DSM-14-0053

Date de début : 1 Oct 2014

Les nanofils à base de semi-conducteurs II-VI (ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe…) peuvent trouver des applications prometteuses comme émetteurs, mémoires magnétiques, dispositifs photovoltaïques, photocatalyseurs etc. A cause de leur morphologie nanométrique, l'état de surface joue un rôle déterminant dans leur propriétés électroniques et optiques car les défauts de surface peuvent agir comme des pièges d'électrons.



[Thèse]

Récepteur radiofréquence basé sur l'échantillonnage parcimonieux pour les applications de communication radio versatile adaptative.

Offre N° : SL-DRT-14-0669

Date de début : 1 Oct 2014

L'objectif de cette thèse est de proposer une nouvelle architecture de récepteur radiofréquence s'appuyant sur l'échantillonnage parcimonieux et d'évaluer l'intérêt de cette technique pour le relâchement des contraintes de réalisation des blocs analogiques et la réduction de la consommation électrique.

La plupart des signaux pertinents peuvent être comprimés: nos smartphones sont remplis de



[Thèse]

Étude et mise en œuvre de nouveaux transistors GaN bidirectionnels au sein de structures d'électronique de puissance à hautes performances

Offre N° : SL-DRT-14-0664

Date de début : 1 Oct 2014

Depuis quelques années, des progrès significatifs ont été faits sur de nouveaux matériaux : Carbure de Silicium (SiC), Nitrure de Gallium (GaN) et Diamant. Les composants JFET et MOSFET en SiC sont plutôt prédisposés pour la haute tension alors que les composants GaN pourront concurrencer les composants Silicium jusqu'à 600V, voire 1200V.



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