Comment réduire la variabilité des transistors ?

Plus les transistors se miniaturisent, plus leur variabilité augmente, parfois jusqu’à rendre un circuit inutilisable. Un phénomène qu’une équipe INAC/Léti a analysé à 50 mK, sur des transistors dont le canal, de dimensions nanométriques, ne contient que quelques dopants.

L’étude montre que ces dopants jouent un rôle décisif : selon leur positionnement, ils réduisent ou augmentent fortement la tension électrique nécessaire à la fermeture du transistor. De quoi remettre en cause les tables qui quantifient cette tension de manière théorique, pour un dopant situé dans un cristal de dimensions infinies ; il faut approcher chaque cas particulier (dimensions réelles du cristal, proximité de métal ou d’isolant) pour mieux évaluer ces phénomènes de variabilité.

Contact : xavier.jehl@cea.fr

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