Graphène : le Léti explore la sublimation du SiC

Catégorie(s) : Actualités, Recherche

Publié le : 22 février 2010

Deux ans après ses premiers travaux sur l’obtention de couches de graphène par sublimation de SiC, le Léti s’est approprié cette technique – ses résultats sont à l’état de l’art – et se lance dans la réalisation de composants originaux ; par exemple, tout récemment, des poutres en graphène en suspension après gravure sélective du substrat SiC par voie électrochimique.

Une équipe d’une petite dizaine de personnes travaille sur ce matériau, en particulier sur les feuillets de graphène superposés issus du procédé de sublimation : il s’agit de les identifier, de les compter et de les dissocier par une technologie de report de couches adaptée. Autres objectifs prioritaires : mieux contrôler les défauts et l’homogénéité des couches et tenter d’obtenir des feuillets de dimensions supérieures.

Contact : loic.becerra@cea.fr

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